Дискретные полупроводники

FQP6N80C
Описание FQP6N80C The FQP6N80C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior...
Вес брутто2.84 г Входная емкость1310пФ
Цена: по запросу
 
FQP6N90C
Вес брутто3.5 г Входная емкость1770пФ
Цена: по запросу
 
FQP70N10
Вес брутто3.5 г Входная емкость3300пФ
Цена: по запросу
 
FQP7N80C
Вес брутто3.5 г Входная емкость1680пФ
Цена: по запросу
 
FQP7P06
Вес брутто3.5 г Входная емкость295пФ
Цена: по запросу
 
FQP85N06
Вес брутто3.5 г Входная емкость4120пФ
Цена: по запросу
 
FQP8N80C
Вес брутто3.5 г Входная емкость2050пФ
Цена: по запросу
 
FQP8N90C
Вес брутто3.5 г Входная емкость2080пФ
Цена: по запросу
 
FQP8P10
Вес брутто3.5 г Входная емкость470пФ
Цена: по запросу
 
FQP9N30
Вес брутто3.5 г Входная емкость750пФ
Цена: по запросу
 
FQP9N50C
Вес брутто3.5 г Код товара358393
Цена: по запросу
 
FQP9N90C
Вес брутто3.5 г Входная емкость2730пФ
Цена: по запросу
 
FQP9P25
Вес брутто3.5 г Входная емкость1180пФ
Цена: по запросу
 
FQPF10N20C
Вес брутто3.5 г Входная емкость510пФ
Цена: по запросу
 
FQPF10N50CF
Вес брутто3.5 г Входная емкость2096пФ
Цена: по запросу
 
FQPF10N60C
Описание FQPF10N60C Корпус TO220FULLPAK3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при...
Вес брутто2.91 г Входная емкость2040пФ
Цена: по запросу
 
FQPF11N40C
Вес брутто3.5 г Входная емкость1090пФ
Цена: по запросу
 
FQPF11N50CF
Вес брутто3.04 г Входная емкость2055пФ
Цена: по запросу
 
FQPF12N60C
Вес брутто3 г Входная емкость2290пФ
Цена: по запросу
 
FQPF12P10
Вес брутто3.5 г ОсобенностиStandard
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров