Дискретные полупроводники

FQP34N20, транзистор полевой n-канальный 200в 31a

КОД: FQP34N20

Вес брутто3.5 г Входная емкость3100пФ

Цена: по запросу

FQP3N30, транзистор полевой n-канальный 300в 3.2a

КОД: FQP3N30

Вес брутто3.5 г Входная емкость230пФ

Цена: по запросу

FQP3N60C, транзистор полевой n-канальный 600в 3a

КОД: FQP3N60C

Вес брутто3.5 г Входная емкость565пФ

Цена: по запросу

FQP3N80C, полевой транзистор, n-канальный, 800 в, 3 а

КОД: FQP3N80C

Вес брутто3.5 г Входная емкость705пФ

Цена: по запросу

FQP3P20, транзистор полевой p-канальный 200в 2.8a

КОД: FQP3P20

Вес брутто3.5 г Входная емкость250пФ

Цена: по запросу

FQP3P50, транзистор полевой mosfet p-канальный 500в 2.7a to-220

КОД: FQP3P50

Вес брутто2.7 г Код товара358405

Цена: по запросу

FQP44N10, транзистор полевой n-канальный 100в 43.5а 146вт

КОД: FQP44N10

Описание FQP44N10 FQP44N10 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...

Вес брутто3.09 г Входная емкость1800пФ

Цена: по запросу

FQP45N15V2, транзистор полевой n-канальный 150в 45a

КОД: FQP45N15V2

Вес брутто3.5 г Входная емкость3030пФ

Цена: по запросу

FQP46N15, транзистор полевой n-канальный 150в 45.6a

КОД: FQP46N15

Вес брутто3.5 г Входная емкость3250пФ

Цена: по запросу

FQP47P06, транзистор полевой p-канальный 60в 47a

КОД: FQP47P06

Вес брутто3.5 г Входная емкость3600пФ

Цена: по запросу

FQP4N80, транзистор полевой n-канальный 800в 3.9a

КОД: FQP4N80

Вес брутто3.5 г Входная емкость880пФ

Цена: по запросу

FQP4N90C, транзистор полевой n-канальный 900в 4a 140вт

КОД: FQP4N90C

Вес брутто2.91 г Входная емкость960пФ

Цена: по запросу

FQP4P40, транзистор полевой p-канальный 400в 3.5a

КОД: FQP4P40

Вес брутто3.5 г Входная емкость680пФ

Цена: по запросу

FQP50N06, транзистор полевой n-канальный 60в 50а 120вт

КОД: FQP50N06

Описание FQP50N06 FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...

Вес брутто2.95 г Входная емкость1540пФ

Цена: по запросу

FQP50N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 52.4a

КОД: FQP50N06L

Вес брутто2.7 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FQP55N10, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 55 а

КОД: FQP55N10

Описание FQP55N10 QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor...

Вес брутто3.5 г Входная емкость2730пФ

Цена: по запросу