Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
FQP13N10L, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 12.8a to-220
FQP13N10L
Вес брутто3.5 г Код товара358378
Цена: по запросу
 
FQP13N50, транзистор полевой mosfet n-канальный 500в 12.5a to-220
FQP13N50
Вес брутто3.5 г Входная емкость2300пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
FQP13N50C, транзистор полевой n-канальный 500в 12.5a
FQP13N50C
Описание FQP13N50C N-Channel 500V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в...
Вес брутто3.03 г Входная емкость2055пФ
Цена: по запросу
 
FQP14N30, транзистор полевой n-канальный 300в 14.4a
FQP14N30
Вес брутто3.5 г Входная емкость1360пФ
Цена: по запросу
 
FQP17N40, транзистор полевой mosfet n-канальный 400в 16a to-220
FQP17N40
Описание FQP17N40 FQP17N40 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 400В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...
Вес брутто2.9 г Код товара358390
Цена: по запросу
 
FQP17P06, транзистор полевой p-канальный 60в 17a
FQP17P06
Описание FQP17P06 FQP17P06 является P-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® -60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...
Вес брутто2.3 г Входная емкость900пФ
Цена: по запросу
 
FQP17P10, транзистор полевой p-канальный 100в 16.5a
FQP17P10
Вес брутто3.5 г Входная емкость1100пФ
Цена: по запросу
 
FQP19N20, транзистор полевой n-канальный 200в 19.4a
FQP19N20
Вес брутто3.5 г Входная емкость1600пФ
Цена: по запросу
 
FQP19N20C, транзистор полевой n-канальный 200в 19а 139вт
FQP19N20C
Описание FQP19N20C QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power...
Вес брутто2.93 г Входная емкость1080пФ
Цена: по запросу
 
FQP20N06, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 20a to-220
FQP20N06
Вес брутто3.5 г Входная емкость590пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
FQP20N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 21а 0.055 ом, 53вт
FQP20N06L
Вес брутто2.72 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FQP22N30, транзистор полевой n-канальный 300в 21а 170вт
FQP22N30
Вес брутто2.95 г Входная емкость2200пФ
Цена: по запросу
 
FQP27N25, транзистор полевой n-канальный 250в 25.5a
FQP27N25
Вес брутто2.88 г Входная емкость2450пФ
Цена: по запросу
 
FQP27P06, транзистор полевой p-канальный 60в 27а 120вт
FQP27P06
Описание FQP27P06 Корпус TO-220-3 Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -27 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,...
Вес брутто2.73 г Входная емкость1400пФ
Цена: по запросу
 
FQP2N60C, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 2a to-220
FQP2N60C
Описание FQP2N60C FQP2N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...
Вес брутто3.5 г Код товара358395
Цена: по запросу
 
FQP2N90, транзистор полевой n-канальный 900в 2.2a
FQP2N90
Вес брутто3.5 г Входная емкость500пФ
Цена: по запросу
 
FQP30N06, транзистор полевой n-канальный 60в 30a 3-pin(3+tab) to-220ab туба
FQP30N06
Вес брутто2.74 г Входная емкость945пФ
Цена: по запросу
 
FQP30N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 32a 3-pin(3+tab) to-220ab лента
FQP30N06L
Описание FQP30N06L The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high...
Вес брутто2.72 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FQP32N20C, транзистор полевой n-канальный 200в 28a
FQP32N20C
Вес брутто2.84 г Входная емкость2200пФ
Цена: по запросу
 
FQP33N10, транзистор полевой n-канальный 100в 33a
FQP33N10
Описание FQP33N10 FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...
Вес брутто3.5 г Входная емкость1500пФ
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров