Дискретные полупроводники

FQD7P20TM, транзистор полевой p-канальный 200в 5.7a

КОД: FQD7P20TM

Входная емкость770пФ Заряд затвора25нКл

Цена: по запросу

FQD8P10TM, транзистор полевой p-канальный 100в 6.6a

КОД: FQD8P10TM

Входная емкость470пФ Заряд затвора15нКл

Цена: по запросу

FQD8P10TM_F085, транзистор полевой p-канальный 100в 6.6a

КОД: FQD8P10TM_F085

Входная емкость470пФ Заряд затвора15нКл

Цена: по запросу

FQD9N25TM, полевой транзистор, n-канальный, 250 в, 7.4 а

КОД: FQD9N25TM

Входная емкость700пФ Заряд затвора20нКл

Цена: по запросу

FQH8N100C, полевой транзистор, n-канальный, 1000 в, 8 а

КОД: FQH8N100C

Вес брутто8.5 г Входная емкость3220пФ

Цена: по запросу

FQI13N50CTU, полевой транзистор, n-канальный, 500 в, 13 а

КОД: FQI13N50CTU

Вес брутто3.5 г Код товара198577

Цена: по запросу

FQI27N25TU, полевой транзистор, n-канальный, 250 в, 25.5 а

КОД: FQI27N25TU

Вес брутто3.5 г Входная емкость2450пФ

Цена: по запросу

FQI4N80TU, полевой транзистор, n-канальный, 800 в, 3.9 а

КОД: FQI4N80TU

Вес брутто3.5 г Входная емкость880пФ

Цена: по запросу

FQL40N50, транзистор полевой n-канальный 500в 40a

КОД: FQL40N50

Входная емкость7500пФ Заряд затвора200нКл

Цена: по запросу

FQN1N50CTA, транзистор полевой n-канальный 500в 380ма

КОД: FQN1N50CTA

Входная емкость195пФ Заряд затвора6.4нКл

Цена: по запросу

FQN1N60CTA, транзистор полевой n-канальный 600в 300ма

КОД: FQN1N60CTA

Входная емкость170пФ Заряд затвора6.2нКл

Цена: по запросу

FQNL2N50BTA, полевой транзистор, n-канальный, 500 в, 0.35 а

КОД: FQNL2N50BTA

Вес брутто0.6 г Код товара198586

Цена: по запросу

FQP10N20C, полевой транзистор, n-канальный, 200 в, 9.5 а

КОД: FQP10N20C

Вес брутто3.5 г Входная емкость510пФ

Цена: по запросу

FQP11N40C, транзистор полевой n-канальный 400в 10.5а 0.43 ом, 135вт

КОД: FQP11N40C

Вес брутто2.74 г Входная емкость1090пФ

Цена: по запросу

FQP11P06, транзистор полевой p-канальный 60в 11.4a

КОД: FQP11P06

Вес брутто3.5 г Входная емкость550пФ

Цена: по запросу

FQP12N60C, транзистор полевой n-канальный 600в 12а 225вт

КОД: FQP12N60C

Вес брутто2.79 г Входная емкость2290пФ

Цена: по запросу

FQP12P10, транзистор полевой p-канальный 100в 11.5a

КОД: FQP12P10

Вес брутто3.5 г Входная емкость800пФ

Цена: по запросу

FQP12P20, транзистор полевой p-канальный 200в 11.5a

КОД: FQP12P20

Описание FQP12P20 • 100% Avalanche tested • 31nC Typical gate charge • 30pF Typical low Crss Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 11.5 A Тип корпуса TO-220AB Максимальное рассеяние мощности 120 Вт Тип монтажа Монтаж на плату...

Вес брутто2.82 г Входная емкость1200пФ

Цена: по запросу

FQP13N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 13а 0.135 ом, 45вт

КОД: FQP13N06L

Вес брутто2.76 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FQP13N10, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 12.8a to-220

КОД: FQP13N10

Описание FQP13N10 FQP13N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...

Вес брутто3.5 г Код товара358377

Цена: по запросу