Дискретные полупроводники

FQD2P40TM
Входная емкость350пФ Заряд затвора13нКл
Цена: по запросу
 
FQD30N06TM
Входная емкость945пФ @ 25В Заряд затвора25нКл @ 10В
Цена: по запросу
 
FQD3N60CTM_WS
Входная емкость565пФ Заряд затвора14нКл
Цена: по запросу
 
FQD3P50TM
Вес брутто0.38 г Входная емкость660пФ
Цена: по запросу
 
FQD4N20TM
Входная емкость220пФ Заряд затвора6.5нКл
Цена: по запросу
 
FQD4N25TM_WS
Входная емкость200пФ Заряд затвора5.6нКл
Цена: по запросу
 
FQD4P25TM-WS
Код товара358404 Краткое описаниеMOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 3.1A DPAK
Цена: по запросу
 
FQD4P25TM_WS
Входная емкость420пФ Заряд затвора14нКл
Цена: по запросу
 
FQD4P40TM
Входная емкость680пФ Заряд затвора23нКл
Цена: по запросу
 
FQD5N15TM
Входная емкость230пФ Заряд затвора7нКл
Цена: по запросу
 
FQD5N20LTM
Входная емкость325пФ Заряд затвора6.2нКл
Цена: по запросу
 
FQD5N60CTM
Код товара358394 КорпусDPAK/TO-252AA
Цена: по запросу
 
FQD5P20TM
Входная емкость430пФ Заряд затвора13нКл
Цена: по запросу
 
FQD6N25TM
Входная емкость300пФ Заряд затвора8.5нКл
Цена: по запросу
 
FQD6N40CTM
Входная емкость625пФ Заряд затвора20нКл
Цена: по запросу
 
FQD6N50CTM
Входная емкость700пФ Заряд затвора25нКл
Цена: по запросу
 
FQD7N10LTM
Вес брутто0.57 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FQD7N20LTM
Входная емкость500пФ Заряд затвора92нКл
Цена: по запросу
 
FQD7N30TM
Входная емкость610пФ Заряд затвора17нКл
Цена: по запросу
 
FQD7P06TM
Входная емкость295пФ Заряд затвора8.2нКл
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров