Дискретные полупроводники

FQD10N20LTM, полевой транзистор, n-канальный, 200 в, 7.6 а

КОД: FQD10N20LTM

Входная емкость830пФ Заряд затвора17нКл

Цена: по запросу

FQD11P06TM, транзистор полевой p-канальный 60в 9.4a

КОД: FQD11P06TM

Входная емкость550пФ Заряд затвора17нКл

Цена: по запросу

FQD12N20LTM, полевой транзистор, n-канальный, 200 в, 9 а

КОД: FQD12N20LTM

Входная емкость1080пФ Заряд затвора21нКл

Цена: по запросу

FQD12N20LTM-F085, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в 9a автомобильного применения 3-pin(2+tab) dpak лента на катушке

КОД: FQD12N20LTM-F085

Код товара438877 Краткое описаниеТранзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Цена: по запросу

FQD12N20LTM_F085, полевой транзистор, n-канальный, 200 в, 9 а

КОД: FQD12N20LTM_F085

Код товара304986 КорпусDPAK/TO-252AA

Цена: по запросу

FQD12N20TM, транзистор полевой n-канальный 200в 9a

КОД: FQD12N20TM

Входная емкость910пФ Заряд затвора23нКл

Цена: по запросу

FQD13N06LTM, транзистор полевой n-канальный 60в 11a

КОД: FQD13N06LTM

Входная емкость350пФ Заряд затвора6.4нКл

Цена: по запросу

FQD13N06TM, полевой транзистор, n-канальный, 60 в, 10 а

КОД: FQD13N06TM

Входная емкость310пФ Заряд затвора7.5нКл

Цена: по запросу

FQD13N10LTM, транзистор полевой n-канальный 100в 10a

КОД: FQD13N10LTM

Входная емкость520пФ Заряд затвора12нКл

Цена: по запросу

FQD13N10TM, транзистор полевой n-канальный 100в 10a

КОД: FQD13N10TM

Входная емкость450пФ Заряд затвора16нКл

Цена: по запросу

FQD16N25CTM, транзистор полевой n-канальный 250в 16а 270 мом

КОД: FQD16N25CTM

Вес брутто0.6 г Входная емкость1080пФ

Цена: по запросу

FQD17P06TM, транзистор полевой p-канальный 60в 12а 135 мом

КОД: FQD17P06TM

Вес брутто0.5 г Входная емкость900пФ

Цена: по запросу

FQD18N20V2TM, транзистор полевой n-канальный 200в 15a

КОД: FQD18N20V2TM

Входная емкость1080пФ Заряд затвора26нКл

Цена: по запросу

FQD19N10LTM, транзистор полевой n-канальный 100в 15.6a

КОД: FQD19N10LTM

Описание FQD19N10LTM The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior...

Вес брутто0.47 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу