Дискретные полупроводники

FQA6N90C_F109, полевой транзистор, n-канальный, 900 в, 6 а

КОД: FQA6N90C_F109

Вес брутто6.401 г Входная емкость1770пФ

Цена: по запросу

FQA70N10, транзистор полевой n-канальный 100в 70а 214вт

КОД: FQA70N10

Вес брутто6.95 г Входная емкость3300пФ

Цена: по запросу

FQA70N15, транзистор полевой n-канальный 150в 70a

КОД: FQA70N15

Описание FQA70N15 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 ом при...

Вес брутто7.63 г Входная емкость5400пФ

Цена: по запросу

FQA7N80C_F109, полевой транзистор, n-канальный, 800 в, 7 а

КОД: FQA7N80C_F109

Вес брутто6.401 г Входная емкость1680пФ

Цена: по запросу

FQA8N100C, транзистор полевой n-канальный 1000в 8a

КОД: FQA8N100C

Вес брутто6.401 г Входная емкость3220пФ

Цена: по запросу

FQA90N15, полевой транзистор, n-канальный, 150 в, 90 а

КОД: FQA90N15

Вес брутто6.401 г Код товара198505

Цена: по запросу

FQA9N90C_F109, транзистор полевой n-канальный 900в 9а 280вт

КОД: FQA9N90C_F109

Описание FQA9N90C_F109 The FQA9N90C_F109 is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide...

Вес брутто6.97 г Входная емкость2730пФ

Цена: по запросу