Дискретные полупроводники

2N5190G
Вес брутто0.779 г Код товара437672
Цена: по запросу
 
2N5191G
Вес брутто0.779 г Код товара162051
Цена: по запросу
 
2N5192G
Вес брутто0.779 г Код товара162052
Цена: по запросу
 
2N5194G
Вес брутто0.77 г Код товара162053
Цена: по запросу
 
2N5195G
Вес брутто0.779 г Код товара162054
Цена: по запросу
 
2N5210BU
Код товара162055 КорпусTO92-3
Цена: по запросу
 
2N5210TFR
Код товара358286 КорпусTO92-3
Цена: по запросу
 
2N5302G
Вес брутто18 г Код товара162056
Цена: по запросу
 
2N5401 TO-92 ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРН
Код товара479486 Нормоупаковка1 шт
Цена: по запросу
 
2N5401
Код товара337324 КорпусTO-92_formed_leads
Цена: по запросу
 
2N5401
Вес брутто0.5 г Код товара54100
Цена: по запросу
 
2N5401
Код товара479485 КорпусTO-92-3
Цена: по запросу
 
2N5401
Вес брутто0.35 г Код товара552226
Цена: по запросу
 
2N5401G
Вес брутто0.5 г Код товара36774
Цена: по запросу
 
2N5401YBU
Вес брутто0.19 г Код товара356842
Цена: по запросу
 
2N5415
Вес брутто1.34 г Код товара162058
43.37 
В наличии
 
2N5551 TO-92 ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРН
Код товара479487 Нормоупаковка1 шт
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
2N5551
Описание 2N5551 Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...
Вес брутто0.5 г Код товара341652
Цена: по запросу
 
2N5551-Y
Описание 2N5551-Y Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический...
Вес брутто0.2 г Код товара304338
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров