Дискретные полупроводники

FFH30US30DN, диод выпрямительный сборка 300в 30а

КОД: FFH30US30DN

Быстродействие, нс500 Вес брутто10 г

Цена: по запросу

FFP08S60STU, диод выпрямительный общего применения 600в 8а

КОД: FFP08S60STU

БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)30нс

Цена: по запросу

FFP10U60DNTU, диод х2 600в/10а общий катод, быстродействующий trr=90 нс

КОД: FFP10U60DNTU

Быстродействие, нс500 Вес брутто2.76 г

Цена: по запросу

FFPF10UP60STU, диод выпрямительный общего применения 600в 10а

КОД: FFPF10UP60STU

БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто3.5 г

Цена: по запросу

FFPF20UP30DNTU, диод выпрямительный сборка 300в 10а

КОД: FFPF20UP30DNTU

Быстродействие, нс500 Вес брутто3.5 г

Цена: по запросу

FFPF20UP60DNTU, диод выпрямительный сборка 600в 10а

КОД: FFPF20UP60DNTU

Быстродействие, нс500 Вес брутто3.5 г

Цена: по запросу

FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт

КОД: FGA15N120ANTDTU_F109

Вес брутто6.401 г Импульсный ток коллектора макс45 А

Цена: по запросу

FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт

КОД: FGA20N120FTDTU

Вес брутто6.9 г Импульсный ток коллектора макс60 А

Цена: по запросу

FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт

КОД: FGA20S125P-SN00336

Вес брутто6.401 г Импульсный ток коллектора макс60 А

Цена: по запросу

FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт

КОД: FGA20S140P

Вес брутто6.401 г Код товара197909

Цена: по запросу

FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт

КОД: FGA25N120ANTDTU

Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...

Вес брутто6.93 г Импульсный ток коллектора макс90 А

Цена: по запросу

FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт

КОД: FGA25S125P

Вес брутто6.401 г Импульсный ток коллектора макс75 А

Цена: по запросу

FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт

КОД: FGA90N33ATDTU

Вес брутто5.6 г Код товара154315

Цена: по запросу

FGAF40N60SMD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 79 вт

КОД: FGAF40N60SMD

Вес брутто3.5 г Код товара197917

Цена: по запросу

FGB20N60SFD_F085, транзистор биполярный igbt n-канальный 600в 40а 208вт автомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

КОД: FGB20N60SFD_F085

Вес брутто2 г Код товара549544

Цена: по запросу

FGH25T120SMD-F155, транзистор биполярный igbt n-канальный 1200в 50a 428вт 3-pin(3+tab) to-247 туба

КОД: FGH25T120SMD-F155

Код товара417141 Краткое описаниеТранзистор биполярный IGBT N-канальный 1200В 50A 428Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Цена: по запросу

FGH75N60UFTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 150 а, 452 вт

КОД: FGH75N60UFTU

Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс225 А

Цена: по запросу

FGH75T65UPD, биполярный транзистор igbt, 650 в, 150 а, 375 вт

КОД: FGH75T65UPD

Вес брутто8.5 г Импульсный ток коллектора макс225 А

Цена: по запросу

FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный

КОД: FGHL50T65SQ

Код товара507347 КорпусTO-247

Цена: по запросу

FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт

КОД: FGL60N100BNTD

Описание FGL60N100BNTD Корпус TO264 Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9...

Вес брутто12.52 г Импульсный ток коллектора макс120 А

Цена: по запросу