Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
FEP16DT, диод х2 200в/ 16а/ 35нс общий катод, ultrafast
FEP16DT
Вес брутто3.5 г Код товара357689
Цена: по запросу
 
FEP16GT-E3/45, диод х2 400в/ 16а/ 45нс общий катод, ultrafast
FEP16GT-E3/45
Быстродействие, нс500 Вес брутто2.59 г
Цена: по запросу
 
FEP16JT-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 16а
FEP16JT-E3/45
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс50
Цена: по запросу
 
FEP30DP-E3/45, диод выпрямительный сборка 200в 30а
FEP30DP-E3/45
Быстродействие, нс500 Вес брутто8.28 г
Цена: по запросу
 
FEP30GP-E3/45, диод выпрямительный сборка 400в 30а
FEP30GP-E3/45
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс50
Цена: по запросу
 
FEP30JP-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 30а
FEP30JP-E3/45
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс50
Цена: по запросу
 
FEPB16DT-E3/45, диод выпрямительный сборка 200в 8а
FEPB16DT-E3/45
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс35
Цена: по запросу
 
FEPB16DT-E3/81, диод выпрямительный сборка 200в 8а
FEPB16DT-E3/81
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс35
Цена: по запросу
 
FEPB16JT-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 8а
FEPB16JT-E3/45
Быстродействие, нс500 Время восстановления, нс50
Цена: по запросу
 
FERD30M45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 15а
FERD30M45CG-TR
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.62 г
Цена: по запросу
 
FERD40M45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 20а
FERD40M45CG-TR
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.2 г
Цена: по запросу
 
FERD40M45CT, диод выпрямительный сборка 45в 20а
FERD40M45CT
Быстродействие, нс500 Код товара302431
Цена: по запросу
 
FERD40U45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 20а
FERD40U45CG-TR
Быстродействие, нс500 Вес брутто1.2 г
Цена: по запросу
 
FERD60M45CT, диод выпрямительный сборка 45в 30а
FERD60M45CT
Быстродействие, нс500 Код товара302434
Цена: по запросу
 
FERD60U45CT, диод выпрямительный сборка 45в 30а
FERD60U45CT
Быстродействие, нс500 Код товара302435
Цена: по запросу
 
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
FF100R12RT4HOSA1
Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...
Вес брутто189.5 г Код товара139729
4 855.05 ₽
В наличии
 
FF11MR12W1M1B11BOMA1, модуль силовой mosfet 2 n-канальный 1200в 100a
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Код товара412438 Краткое описаниеMOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE Модуль силовой MOSFET 2 N-канальный 1200В 100A
Цена: по запросу
 
FF11MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet, полумостовой n-канальный 1200в 100а
FF11MR12W1M1PB11BPSA1
Вес брутто25.5 г Код товара549506
Цена: по запросу
 
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
FF150R12KE3G
Вес брутто364.4 г Код товара401512
12 569.38 ₽
В наличии
 
FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт
FF150R12RT4HOSA1
Описание FF150R12RT4HOSA1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А Вес, г 160
Вес брутто182.2 г Код товара139799
5 882.72 ₽
В наличии
 
Показать еще 20 товаров