Дискретные полупроводники

FDS9400A, полевой транзистор, p-канальный, 30 в, 3.4 а

КОД: FDS9400A

Код товара197782 КорпусSOIC8N

Цена: по запросу

FDS9431A, транзистор полевой p-канальный 20в 3.5а 2.5вт

КОД: FDS9431A

Вес брутто0.234 г ОсобенностиLogic Level Gate, 2.5V Drive

Цена: по запросу

FDS9435A, транзистор полевой p-канальный 30в 5.3а 2.5вт

КОД: FDS9435A

Описание FDS9435A Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...

Вес брутто0.12 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS9926A, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 6.5 а, 2вт, 0.03 ом

КОД: FDS9926A

Описание FDS9926A Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 43...

Вес брутто0.2 г Код товара145889

Цена: по запросу

FDS9933A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 3.8 а, 2 вт

КОД: FDS9933A

Вес брутто0.3 г Код товара147858

Цена: по запросу

FDS9934C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.5 а/5 а

КОД: FDS9934C

Вес брутто0.2 г Код товара197786

Цена: по запросу

FDS9945, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 60 в, 3.5 а, 2 вт, 0.1 ом

КОД: FDS9945

Описание FDS9945 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 103...

Вес брутто0.18 г Код товара145811

Цена: по запросу