Дискретные полупроводники

FDS8813NZ, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 18.5 а

КОД: FDS8813NZ

Входная емкость4145пФ Заряд затвора76нКл

Цена: по запросу

FDS8817NZ, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 15 а

КОД: FDS8817NZ

Входная емкость2400пФ Заряд затвора45нКл

Цена: по запросу

FDS8840NZ, полевой транзистор, n-канальный, 40 в, 18.6 а

КОД: FDS8840NZ

Входная емкость7535пФ Заряд затвора144нКл

Цена: по запросу

FDS8842NZ, полевой транзистор, n-канальный, 40 в, 14.9 а

КОД: FDS8842NZ

Входная емкость3845пФ Заряд затвора73нКл

Цена: по запросу

FDS8858CZ, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, -7.3 а/8.6 а, 2 вт

КОД: FDS8858CZ

Вес брутто0.22 г Код товара147850

Цена: по запросу

FDS8870, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 18 а

КОД: FDS8870

Входная емкость4615пФ Заряд затвора112нКл

Цена: по запросу

FDS8878, транзистор полевой n-канальный 30в 10.2а 2.5вт

КОД: FDS8878

Вес брутто0.2 г Код товара158878

Цена: по запросу

FDS8880, транзистор полевой n-канальный 30в 11.6a

КОД: FDS8880

Описание FDS8880 PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 11.6 A Тип корпуса SOIC Максимальное рассеяние мощности 2.5 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина...

Вес брутто0.22 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS8884, транзистор полевой n-канальный 30в 8.5а 2.5вт

КОД: FDS8884

Вес брутто0.2 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS8896, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 15 а

КОД: FDS8896

Вес брутто0.2 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS89141, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 100 в, 3.5 а

КОД: FDS89141

Вес брутто0.54 г Код товара197770

Цена: по запросу

FDS89161, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 100 в, 2.7 а

КОД: FDS89161

Код товара197771 КорпусSOIC8

Цена: по запросу

FDS89161LZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 100 в, 2.7 а

КОД: FDS89161LZ

Вес брутто0.2 г Код товара197772

Цена: по запросу

FDS8928A, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в/20 в

КОД: FDS8928A

Код товара197773 КорпусSOIC8

Цена: по запросу

FDS8935, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 80 в, 2.1 а

КОД: FDS8935

Вес брутто0.54 г Код товара197774

Цена: по запросу

FDS8949, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 40 в, 6 а

КОД: FDS8949

Код товара197775 КорпусSOIC8

Цена: по запросу

FDS8958A, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, -5 а/7 а, 2 вт

КОД: FDS8958A

Описание FDS8958A Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7/-5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 28/52...

Вес брутто0.2 г Код товара136510

Цена: по запросу

FDS8958B, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в

КОД: FDS8958B

Описание FDS8958B The FDS8958B is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered...

Код товара197778 КорпусSOIC8

Цена: по запросу

FDS8978, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 7.5 а, 1.6 вт

КОД: FDS8978

Вес брутто0.25 г Код товара197780

Цена: по запросу

FDS8984, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 7 а

КОД: FDS8984

Код товара197781 КорпусSOIC8N

Цена: по запросу