Дискретные полупроводники

FDS3692, полевой транзистор n-канальный 100в 4.5a автомобильного применения 8-pin soic лента на катушке

КОД: FDS3692

Вес брутто0.2 г Входная емкость746пФ

Цена: по запросу

FDS3890, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 80 в, 4.7 а, 2вт

КОД: FDS3890

Вес брутто0.25 г Код товара197685

Цена: по запросу

FDS3992, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 100 в, 4.5 а

КОД: FDS3992

Вес брутто0.2 г Код товара197686

Цена: по запросу

FDS4141, полевой транзистор, p-канальный, 40 в, 10.8 а

КОД: FDS4141

Входная емкость2670пФ Заряд затвора49нКл

Цена: по запросу

FDS4141-F085, транзистор mosfet одиночный

КОД: FDS4141-F085

Код товара346962 Краткое описаниеTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R

Цена: по запросу

FDS4410, транзистор полевой n-канальный 30в 10а 2.5вт

КОД: FDS4410

Вес брутто0.14 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS4410A, транзистор полевой n-канальный 30в 10а 2.5вт

КОД: FDS4410A

Вес брутто0.2 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS4435, транзистор полевой p-канальный 30в 8.8а 2.5вт (рекомендуемая замена: fds4435bz)

КОД: FDS4435

Вес брутто0.25 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS4435BZ, транзистор полевой p-канальный 30в 8.8а 2.5вт

КОД: FDS4435BZ

Вес брутто0.14 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS4465, транзистор полевой p-канальный 20в 13.5a

КОД: FDS4465

Вес брутто0.14 г ОсобенностиLogic Level Gate, 1.8V Drive

Цена: по запросу

FDS4480, полевой транзистор, n-канальный, 40 в, 10.8 а

КОД: FDS4480

Вес брутто0.54 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDS4559, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 60 в, 3.5 а, 0.105 ом, 2вт

КОД: FDS4559

Описание FDS4559 PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery...

Вес брутто0.2 г Код товара145895

Цена: по запросу

FDS4672A, транзистор полевой n-канальный 40в 11a

КОД: FDS4672A

Входная емкость4766пФ Заряд затвора49нКл

Цена: по запросу

FDS4675, полевой транзистор, p-канальный, 40 в, 11 а

КОД: FDS4675

Входная емкость4350пФ Заряд затвора56нКл

Цена: по запросу

FDS4685, полевой транзистор, p-канальный, 40 в, 8.2 а

КОД: FDS4685

Входная емкость1872пФ Заряд затвора27нКл

Цена: по запросу

FDS4897AC, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 40 в, 6.1 а/5.2 а

КОД: FDS4897AC

Вес брутто0.2 г Код товара197697

Цена: по запросу

FDS4897C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 40 в, 2вт

КОД: FDS4897C

Описание FDS4897C Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40/-40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.2/-4.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

Вес брутто0.2 г Код товара197698

Цена: по запросу

FDS4935A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 7 а, 2 вт

КОД: FDS4935A

Описание FDS4935A Корпус SO-8 Структура 2p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds...

Вес брутто0.22 г Код товара136589

Цена: по запросу

FDS4935BZ, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 6.9 а

КОД: FDS4935BZ

Код товара197699 КорпусSOIC8

Цена: по запросу

FDS4953, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, -30 в, -5 а, 2 вт

КОД: FDS4953

Вес брутто0.2 г Код товара155310

Цена: по запросу