Дискретные полупроводники

FDP51N25, транзистор полевой n-канальный 250в 51a

КОД: FDP51N25

Описание FDP51N25 The FDP51N25 is an UniFET™ N-channel High Voltage MOSFET produced based on Fairchild Semiconductor's planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is...

Вес брутто3.5 г Входная емкость3410пФ

Цена: по запросу

FDP52N20, транзистор полевой n-канальный 200в 52а 357вт

КОД: FDP52N20

Описание FDP52N20 The FDP52N20 is an N-channel MOSFET produced from Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche...

Вес брутто2.84 г Входная емкость2900пФ

Цена: по запросу

FDP55N06, транзистор полевой n-канальный 60в 55a

КОД: FDP55N06

Вес брутто3.5 г Входная емкость1510пФ

Цена: по запросу

FDP5800, транзистор полевой n-канальный 60в 14a

КОД: FDP5800

Вес брутто3.5 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDP5N50NZ, транзистор полевой n-канальный 500в 4.5a

КОД: FDP5N50NZ

Вес брутто3.5 г Входная емкость440пФ

Цена: по запросу

FDP6030BL, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 40 а

КОД: FDP6030BL

Вес брутто3.5 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDP61N20, mosfet n-ch 200v 61a to-220

КОД: FDP61N20

Вес брутто3.5 г Код товара358369

Цена: по запросу

FDP65N06, транзистор полевой n-канальный 60в 65a

КОД: FDP65N06

Вес брутто3.5 г Входная емкость2170пФ

Цена: по запросу

FDP7030BL, транзистор полевой n-канальный 30в 60a

КОД: FDP7030BL

Описание FDP7030BL • Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature • High performance trench technology for extremely low RDS (on) • 175°C Rated junction temperature Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 60 A Тип...

Вес брутто3.5 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу