Дискретные полупроводники

FDP150N10
Вес брутто3.5 г Входная емкость4760пФ
Цена: по запросу
 
FDP150N10A_F102
Вес брутто3.5 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FDP16AN08A0
Вес брутто3.5 г Входная емкость1857пФ
Цена: по запросу
 
FDP18N20F
Вес брутто2.78 г ОсобенностиStandard
Цена: по запросу
 
FDP18N50
Вес брутто2.8 г Входная емкость2860пФ
Цена: по запросу
 
FDP20N50
Вес брутто3.5 г Входная емкость3120пФ
Цена: по запросу
 
FDP22N50N
Описание FDP22N50N UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy...
Вес брутто3.5 г Входная емкость3200пФ
Цена: по запросу
 
FDP24N40
Вес брутто3.5 г Входная емкость3020пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
FDP2532
Вес брутто3.07 г ОсобенностиStandard
Цена: по запросу
 
FDP2552
Вес брутто3.5 г Входная емкость2800пФ
Цена: по запросу
 
FDP2572
Входная емкость1770пФ Заряд затвора34нКл
Цена: по запросу
 
FDP26N40
Вес брутто2.93 г Код товара358368
Цена: по запросу
 
FDP2710
Вес брутто3.5 г Входная емкость7280пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
FDP33N25
Вес брутто3.5 г Входная емкость2135пФ
Цена: по запросу
 
FDP3632
Вес брутто3.5 г Входная емкость6000пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
FDP3651U
Вес брутто3.5 г Входная емкость5522пФ
Цена: по запросу
 
FDP3652
Входная емкость2880пФ Заряд затвора53нКл
Цена: по запросу
 
FDP3672
Входная емкость1670пФ Заряд затвора37нКл
Цена: по запросу
 
FDP3682
Описание FDP3682 PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 6 A Тип корпуса TO-220AB Максимальное рассеяние мощности 95 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия...
Входная емкость1250пФ Заряд затвора28нКл
Цена: по запросу
 
FDP42AN15A0
Входная емкость2150пФ Заряд затвора39нКл
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров