Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
FDP030N06B_F102, полевой транзистор, n-канальный, 60 в, 120 а
FDP030N06B_F102
Вес брутто3.5 г Входная емкость8030пФ
Цена: по запросу
 
FDP032N08, транзистор полевой n-канальный 75в 120a
FDP032N08
Вес брутто3.5 г Входная емкость15160пФ
Цена: по запросу
 
FDP036N10A, полевой транзистор, n-канальный, 100 в
FDP036N10A
Входная емкость7295пФ Заряд затвора116нКл
Цена: по запросу
 
FDP038AN06A0, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 80a to-220ab
FDP038AN06A0
Код товара358367 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
FDP045N10A_F102, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 120 а
FDP045N10A_F102
Вес брутто3.5 г Входная емкость5270пФ
Цена: по запросу
 
FDP047AN08A0, полевой транзистор, n-канальный, 75 в, 80 а
FDP047AN08A0
Вес брутто3.5 г Входная емкость6600пФ
Цена: по запросу
 
FDP047N08, транзистор полевой n-канальный 75в 164a
FDP047N08
Вес брутто3.5 г Входная емкость9415пФ
Цена: по запросу
 
FDP047N10, транзистор полевой n-канальный 100в 120a
FDP047N10
Описание FDP047N10 N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 164 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Вес брутто3.5 г Входная емкость15265пФ
Цена: по запросу
 
FDP050AN06A0, транзистор полевой n-канальный 60в 80а 245вт, 4,3 мом
FDP050AN06A0
Вес брутто2.92 г ОсобенностиAutomotive
Цена: по запросу
 
FDP054N10, полевой транзистор, n-канальный, 100 в
FDP054N10
Входная емкость13280пФ Заряд затвора203нКл
Цена: по запросу
 
FDP060AN08A0, полевой транзистор, n-канальный, 75 в, 80 а
FDP060AN08A0
Вес брутто3.5 г Входная емкость5150пФ
Цена: по запросу
 
FDP075N15A_F102, транзистор полевой n-канальный 150в 130a
FDP075N15A_F102
Вес брутто3.5 г Входная емкость7350пФ
Цена: по запросу
 
FDP083N15A_F102, полевой транзистор, n-канальный, 150 в, 83 а
FDP083N15A_F102
Входная емкость6040пФ Заряд затвора84нКл
Цена: по запросу
 
FDP085N10A-F102, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 96 а
FDP085N10A-F102
Вес брутто3.5 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FDP090N10, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 75 а
FDP090N10
Вес брутто3.5 г Входная емкость8225пФ
Цена: по запросу
 
FDP100N10, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 75 а, 0.01 ом
FDP100N10
Вес брутто3.5 г Входная емкость7300пФ
Цена: по запросу
 
FDP10N60NZ, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 10 а
FDP10N60NZ
Вес брутто3.5 г Входная емкость1475пФ
Цена: по запросу
 
FDP120N10, транзистор полевой n-канальный 100в 74a
FDP120N10
Вес брутто3.5 г Входная емкость5605пФ
Цена: по запросу
 
FDP12N50NZ, полевой транзистор, n-канальный, 500 в, 11.5 а
FDP12N50NZ
Вес брутто3.5 г Входная емкость1235пФ
Цена: по запросу
 
FDP12N60NZ, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 12 а
FDP12N60NZ
Вес брутто3.5 г Входная емкость1676пФ
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров