Дискретные полупроводники

FDN339AN, транзистор полевой n-канальный 20в 3а 0.5вт

КОД: FDN339AN

Вес брутто0.02 г ОсобенностиLogic Level Gate, 2.5V Drive

Цена: по запросу

FDN340P, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 2 а, 0,5 вт

КОД: FDN340P

Вес брутто0.02 г Входная емкость779пФ

Цена: по запросу

FDN342P, транзистор полевой p-канальный 20в 2a

КОД: FDN342P

Вес брутто0.02 г ОсобенностиLogic Level Gate, 2.5V Drive

Цена: по запросу

FDN352AP, транзистор полевой p-канальный 30в 1.3а 0.5вт

КОД: FDN352AP

Вес брутто0.04 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDN357N, транзистор полевой n-канальный 30в 1.9а 0.5вт

КОД: FDN357N

Вес брутто0.05 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDN358P, транзистор полевой p-канальный 30в 1.5а 0.5вт, 0.06 ом

КОД: FDN358P

Описание FDN358P The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high...

Вес брутто0.03 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDN359AN, транзистор полевой n-канальный 30в 2.7a

КОД: FDN359AN

Вес брутто0.02 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDN359BN, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 2.7 а

КОД: FDN359BN

Вес брутто0.02 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDN360P, транзистор полевой p-канальный 30в 2а 0.08 ом, 0.5вт

КОД: FDN360P

Описание FDN360P МОП-транзистор с P-каналом; напряжение сток-исток -30 В; ток стока -2 А, сопротивление открытого канала 0.08 Ом; напряжение исток-затвор 20 В; заряд затвора 6.2 нКл; мощность рассеивания 0.5 Вт; корпус SuperSOT-3 Корпус TO236 Максимальная рабочая температура +150 °C...

Вес брутто0.04 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу