Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
FDMS86550, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 8mlp
FDMS86550
Вес брутто0.1 г Входная емкость11530пФ @ 30В
Цена: по запросу
 
FDMS8670S, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 20 а
FDMS8670S
Вес брутто0.1 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FDMS8680, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 14a power56
FDMS8680
Вес брутто0.1 г Входная емкость1590пФ @ 15В
Цена: по запросу
 
FDMS8820, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 28 а
FDMS8820
Вес брутто0.1 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FDMS9409-F085, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 65a автомобильного применения 8-pin pqfn ep лента на катушке
FDMS9409-F085
Код товара438823 Краткое описаниеТранзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 65A автомобильного применения 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Цена: по запросу
 
FDMS9600S, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 12 а/16 а
FDMS9600S
Вес брутто0.1 г Код товара197579
Цена: по запросу
 
FDMS9620S, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 7.5 а/10 а
FDMS9620S
Вес брутто0.1 г Код товара197580
Цена: по запросу
 
FDN302P, транзистор полевой p-канальный 20в 2.4а 0.08 ом, 0.5вт
FDN302P
Описание FDN302P The FDN302P is a -20V P-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power...
Вес брутто0.03 г ОсобенностиLogic Level Gate, 2.5V Drive
Цена: по запросу
 
FDN304P, транзистор полевой p-канальный 20в 2.4а 0.5вт
FDN304P
Вес брутто0.05 г ОсобенностиLogic Level Gate, 1.8V Drive
Цена: по запросу
 
FDN304PZ, транзистор полевой p-канальный 20в 2.4а 0.5вт
FDN304PZ
Вес брутто0.05 г ОсобенностиLogic Level Gate, 1.8V Drive
Цена: по запросу
 
FDN306P, транзистор полевой mosfet p-канальный 30в 1.5а 90мом
FDN306P
Вес брутто0.04 г Код товара540993
3.72 ₽
В наличии
 
FDN306P, транзистор полевой p-канальный 12в 2,6а 0.04 ом, 0.5вт
FDN306P
Описание FDN306P MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD Корпус...
Вес брутто0.04 г ОсобенностиLogic Level Gate, 1.8V Drive
Цена: по запросу
 
FDN308P, транзистор полевой p-канальный 20в 1.5a
FDN308P
Вес брутто0.02 г ОсобенностиLogic Level Gate, 2.5V Drive
Цена: по запросу
 
FDN327N, транзистор полевой n-канальный 20в 2а 0.07 ом, 0.5вт
FDN327N
Вес брутто0.04 г ОсобенностиLogic Level Gate, 1.8V Drive
Цена: по запросу
 
FDN335N, транзистор полевой n-канальный 20в 1.7а 0.5вт
FDN335N
Вес брутто0.03 г ОсобенностиLogic Level Gate, 2.5V Drive
Цена: по запросу
 
FDN336P, транзистор полевой p-канальный 20в 1.3a
FDN336P
Вес брутто0.02 г ОсобенностиLogic Level Gate, 2.5V Drive
Цена: по запросу
 
FDN337N, транзистор полевой n-канальный 30в 2,2а 0.054 ом, 0.5вт
FDN337N
Описание FDN337N FDN337N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23 от компании Fairchild. Этот транзистор производится с использованием запатентованной технологией DMOS высокой плотности элементов. Процесс с очень высокой плотностью...
Вес брутто0.12 г ОсобенностиLogic Level Gate
Цена: по запросу
 
FDN338P, транзистор полевой mosfet p-канальный 20в 2.8а
FDN338P
Вес брутто0.04 г Код товара540991
2.74 ₽
В наличии
 
FDN338P, транзистор полевой p-канальный 20в 1.6а
FDN338P
Вес брутто0.03 г Код товара526704
4.38 ₽
В наличии
 
FDN338P, транзистор полевой p-канальный 20в 1.6а 0.5вт
FDN338P
Вес брутто0.03 г Остаток под заказ0 шт
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров