Дискретные полупроводники

FDD18N20LZ, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в dpak-3

КОД: FDD18N20LZ

Код товара358354 КорпусDPAK/TO-252AA

Цена: по запросу

FDD26AN06A0-F085, модуль mosfet силовой

КОД: FDD26AN06A0-F085

Код товара358355 Нормоупаковка2500 шт

Цена: по запросу

FDD3510H, mosfet n/p-ch 80v 4.3a/2.8a dpak

КОД: FDD3510H

Код товара358356 КорпусTO252-4L

Цена: по запросу

FDD5690, полевой транзистор, n-канальный, 60 в, 30 а

КОД: FDD5690

Вес брутто0.793 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDD5N50TM, транзистор полевой n-канальный 500в 4а 40вт

КОД: FDD5N50TM

Вес брутто0.66 г Код товара197279

Цена: по запросу

FDD6612A, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 9.5 а

КОД: FDD6612A

Вес брутто0.66 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDD6630A, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 21 а

КОД: FDD6630A

Вес брутто0.793 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDD6635, транзистор полевой n-канальный 35в 59а 0.010 ом

КОД: FDD6635

Описание FDD6635 Корпус TO252 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 59 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)...

Вес брутто0.66 г ОсобенностиLogic Level Gate

Цена: по запросу

FDD6637, полевой транзистор, p-канальный, 35 в, 55 а, 3.1 вт

КОД: FDD6637

Вес брутто0.49 г Код товара474849

Цена: по запросу

FDD6637, транзистор полевой p-канальный 35в 55а 3.1вт

КОД: FDD6637

Описание FDD6637 Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards. Структура p-канал Максимальное...

Вес брутто0.49 г Код товара148393

Цена: по запросу