Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
32
MFC70-16-223F3TD, тиристорно-диодный модуль 1600в 70а
MFC70-16-223F3TD, тиристорно-диодный модуль 1600в 70а
В наличии
$24.02
MFC70-22-223F3, тиристорно-диодный модуль 2200в 70а
Цена: по запросу
MG100HF065TLC1, модуль igbt силовой
$27.35
MG100HF12LEC1, модуль igbt силовой
$27.51
MG100HF12TFC1, модуль igbt силовой
$32.87
MG150HF12TLC1, модуль силовой igbt
MG150HF12TLC1, модуль силовой igbt
В наличии
$48.39
MG200HF12TLC2, модуль igbt силовой
$67.31
MG300HF12TFC2, модуль igbt силовой
$78.05
MG300HF12TLC2, модуль igbt 1200в 300а
MG300HF12TLC2, модуль igbt 1200в 300а
В наличии
$70.34
MG300HF12TLE3, модуль igbt силовой
$87.77
MG450HF12TFC2, модуль igbt силовой
$118.33
MG450HF12TLC2, модуль igbt силовой
$113.55
MG450HF12TLE3, модуль igbt силовой
$102.85
MG75HF12TLC1, модуль igbt силовой
$27.34
MGC50D12A1-251H3, полумостовой модуль igbt 50а 1200в
MGC50D12A1-251H3, полумостовой модуль igbt 50а 1200в
В наличии
$41.60
MGC75D12A1-251H3, полумомтовой модуль igbt 150а 1200в
MGC75D12A1-251H3, полумомтовой модуль igbt 150а 1200в
В наличии
$31.52
MGF0918A-03, полевой транзистор, радиочастотный
MGF0918A-03, полевой транзистор, радиочастотный
$5.08
MGF0920A-03, полевой транзистор, радиочастотный
MGF0920A-03, полевой транзистор, радиочастотный
Цена: по запросу
MGF0921A-03, полевой транзистор, радиочастотный
MGF0921A-03, полевой транзистор, радиочастотный
Цена: по запросу
MGF2415A-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGF2415A-01, полевой транзистор, радиочастотный
Цена: по запросу
MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный
$32.61
MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный
MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный
$84.45
MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный
MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный
Цена: по запросу
MIDA-HB17AB-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
Цена: по запросу
MIDA-HB17AB-450N-P, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
Цена: по запросу
MIDA-HB17SA-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
Цена: по запросу
MIDA-HB17SG-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
Цена: по запросу
MIDA-HB17SG-600N, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой
Цена: по запросу
MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w
MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w
Цена: по запросу
Описание MJ11015G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...
MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт
MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт
Цена: по запросу
Описание MJ11016G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...
MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт
MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт
Цена: по запросу
Описание MJ11032G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...
MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а
MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара