Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
FCP4N60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 3.9 а
FCP4N60
Вес брутто3.5 г Входная емкость540пФ
Цена: по запросу
 
FCP9N60N, транзистор полевой n-канальный 600в 9a
FCP9N60N
Вес брутто3.5 г Входная емкость1240пФ
Цена: по запросу
 
FCPF11N60, транзистор полевой n-канальный 600в 11a to220f
FCPF11N60
Вес брутто3.5 г Входная емкость1490пФ
Цена: по запросу
 
FCPF11N60T, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 11a to-220f
FCPF11N60T
Вес брутто2.96 г Код товара358349
Цена: по запросу
 
FCPF16N60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 16 а
FCPF16N60
Вес брутто3.5 г Входная емкость2250пФ
Цена: по запросу
 
FCPF16N60NT, транзистор полевой n-канальный 600в
FCPF16N60NT
Вес брутто3.5 г Входная емкость2170пФ
Цена: по запросу
 
FCPF190N60E, полевой транзистор, n-канальный, 600 в
FCPF190N60E
Вес брутто3.5 г Входная емкость3175пФ
Цена: по запросу
 
FCPF20N60, транзистор полевой n-канальный 600в 20а 0.15 ом, 39вт
FCPF20N60
Вес брутто2.84 г Входная емкость3080пФ
Цена: по запросу
 
FCPF22N60NT, транзистор полевой n-канальный 600в 22a
FCPF22N60NT
Описание FCPF22N60NT SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе...
Вес брутто3.5 г Входная емкость1950пФ
Цена: по запросу
 
FCPF400N80Z, транзистор полевой n-канальный 800в 11a
FCPF400N80Z
Вес брутто3.5 г Входная емкость2350пФ
Цена: по запросу
 
FCPF7N60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 7 а
FCPF7N60
Описание FCPF7N60 The FCPF7N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching...
Вес брутто3.5 г Входная емкость920пФ
Цена: по запросу
 
FCPF7N60NT, mosfet n-ch 600v 6.8a to-220f
FCPF7N60NT
Вес брутто3.5 г Код товара358350
Цена: по запросу
 
FCPF850N80Z, полевой транзистор n-канальный 800в 6a 3-pin(3+tab) to-220fp туба
FCPF850N80Z
Вес брутто3.5 г Входная емкость1315пФ
Цена: по запросу
 
FCPF9N60NT, полевой транзистор, n-канальный, 600 в
FCPF9N60NT
Вес брутто3.5 г Код товара141294
Цена: по запросу
 
FD250R65KE3KNOSA1, модуль силовой igbt 6500в 250а
FD250R65KE3KNOSA1
Код товара501102 Краткое описаниеIGBT Module N-CH 6500V 250A 1000W Automotive 7-Pin IHV130-6 Tray Модуль силовой IGBT 6500В 250А
59 721.83 ₽
В наличии
 
FDA032N08, транзистор полевой mosfet n-канальный 75в 120a to-3p
FDA032N08
Вес брутто6.401 г Входная емкость15160пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
FDA16N50_F109, транзистор полевой n-канальный 500в 16.5a
FDA16N50_F109
Вес брутто6.401 г Входная емкость1945пФ
Цена: по запросу
 
FDA18N50, транзистор полевой n-канальный 500в 19a
FDA18N50
Вес брутто5.6 г Входная емкость2860пФ
Цена: по запросу
 
FDA20N50F, транзистор полевой n-канальный 500в 22а 0.23 ом, 280вт
FDA20N50F
Описание FDA20N50F N-Channel 500V 22A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-3PN Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 22 А Тип корпуса TO-3PN Максимальное рассеяние мощности 388 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 5мм...
Вес брутто7.15 г Входная емкость3390пФ
Цена: по запросу
 
FDA24N40F, транзистор полевой n-канальный 400в 23а 235вт
FDA24N40F
Описание FDA24N40F UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy...
Вес брутто7.78 г Входная емкость3030пФ
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров