Дискретные полупроводники

KTC1027 Y, биполярный транзистор, npn, 120 в, 0.8 а, 1 вт, (комплементарная пара ktа1023)

Цена: по запросу

KTC1815-GR-AT/P, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

В наличии

1.62 ₽

KTC2026, биполярный транзистор, npn, 60 в, 3 а, 20 вт, (комплементарная пара кта1046)

Цена: по запросу

KTC3198GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

В наличии

2.06 ₽

KTC3198GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

Цена: по запросу

KTC3199GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.2 вт

В наличии

5.09 ₽

KTC3200GR, биполярный транзистор, npn, 120 в, 0.1 а, 625 мвт, (комплементарная пара ktа1268)

Цена: по запросу

KTC3207, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.1 а, 1 вт

В наличии

39.92 ₽

KTC3209, биполярный транзистор, npn, 50 в, 2 а, 1 вт

В наличии

15.42 ₽

KTC8050, биполярный транзистор, npn, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

KTC8050S-D-RTK/P, биполярный транзистор, npn, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

В наличии

1.54 ₽

KTC8550, биполярный транзистор, pnp, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

Описание KTC8550 Характеристики Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8 Статический...

KTC9013, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.5 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

Описание KTC9013 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический...

KTC9014, биполярный транзистор, npn, 45 в, 0.1 а, 0.45 вт

В наличии

14.93 ₽

KTC9015, биполярный транзистор, pnp, 50 в, 0.15 а, 0.625 вт

В наличии

4.02 ₽

KTD2058 Y, биполярный транзистор, npn, 60в, 3а, 25 вт

В наличии

33.80 ₽

KTD718-O + KTB688-O (пара), биполярный транзистор, npn, 120 в, 10 а, 80 вт, (комплементарная пара ktb688)

Цена: по запросу

KTD998-O, биполярный транзистор, npn, 120 в, 10 а, 80 вт, (комплементарная пара ktb778)

Цена: по запросу

Описание KTD998-O Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический...

L1N4148FT1G, диод одиночный

Цена: по запросу

L1N4148WT1G, диод одиночный

Цена: по запросу

L1N4148WT3G, диод одиночный

Цена: по запросу

L1SS400T1G, диод одиночный

Цена: по запросу

L1SS400T5G, диод одиночный

Цена: по запросу

L2N7002WT1G, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 0.115a sc-70-3

1.21 ₽

L321F, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 120в 15а 2.5кв, встроенный антипараллельный диод

Цена: по запросу

L512, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 240в 25а 2.5кв

Цена: по запросу

L512F, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 240в 25а 2.5кв, встроенный антипараллельный диод

Цена: по запросу

L542, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 240в 25а 2.5кв

Цена: по запросу

L612F, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 240в 42.5а 2.5кв, встроенный антипараллельный диод

Цена: по запросу

L614F, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 480в 42.5а 2.5кв, встроенный антипараллельный диод

Цена: по запросу

L6210, dual schottky diode bridge

Цена: по запросу

Описание L6210 Характеристики Максимальное постоянное обратное напряжение,В 50 Максимальное импульсное обратное напряжение,В 50 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 2 Максимальный допустимый прямой импульсный ток,А - Максимальный обратный ток,мкА -...

LBAS16HT1G, диод одиночный

0.85 ₽