Дискретные полупроводники

D45H8G
Код товара191540 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
D45VH10G
Вес брутто2.67 г Код товара191541
Цена: по запросу
 
D50N06M
Вес брутто0.793 г Код товара566535
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
DB101
Вес брутто0.58 г Код товара338175
7.98 
В наличии
 
DB101S
Вес брутто0.7 г Код товара367086
9.87 
В наличии
 
DB3
Current - Breakover100 µA Current - Peak Output2A
1.97 
В наличии
 
DB3
Описание DB3 • Breakover voltage range from 28V to 36V • Maximum breakover current of 50µA • Maximum rise time of 2µs • Operating junction temperature range from - 40°C to 125°C • Repetitive peak on state current of 2A at 120Hz Напряжение в открытом состоянии(Iоткр 0.2А),В 5...
Current - Breakover100 µA Current - Peak Output2A
3.77 
В наличии
 
DB3
Вес брутто0.13 г Код товара526338
Цена: по запросу
 
DB3
Current - Breakover100 µA Current - Peak Output2A
Цена: по запросу
 
DB3TG
Current - Breakover15 µA Current - Peak Output2A
Цена: по запросу
 
DB4
Описание DB4 Характеристики Напряжение в открытом состоянии(Iоткр 0.2А),В 5 Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии,А 0.3 Импульсный ток в открытом состоянии(tи 2 Максимальное напряжение в закрытом состоянии,В 40 Постоянный ток в закрытом состоянии,мкА...
Current - Breakover50 µA Current - Peak Output2A
2.51 
В наличии
 
DBI6-16
Код товара358141 Нормоупаковка1 шт
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров