Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
32
IRFU9310PBF, транзистор полевой p-канальный 400в 1.8а 50вт
IRFU9310PBF, транзистор полевой p-канальный 400в 1.8а 50вт
Цена: по запросу
Описание IRFU9310PBF Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7 ом...
IRFZ14PBF, транзистор полевой n-канальный 60в 10а 43вт
IRFZ14PBF, транзистор полевой n-канальный 60в 10а 43вт
Цена: по запросу
Описание IRFZ14PBF The IRFZ14PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low...
IRFZ24NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 17а 45вт, 0.07 ом
IRFZ24NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 17а 45вт, 0.07 ом
В наличии
€0.31
IRFZ34NPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 30а 88вт, 0.05 ом
IRFZ34NPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 30а 88вт, 0.05 ом
В наличии
€0.33
IRFZ34NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 29a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRFZ34NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 29a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
Цена: по запросу
IRFZ34PBF, транзистор полевой n-канальный 60в 30a
IRFZ34PBF, транзистор полевой n-канальный 60в 30a
Цена: по запросу
IRFZ44EPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 48а 110вт, 0.023 ом
IRFZ44EPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 48а 110вт, 0.023 ом
В наличии
€1.21
IRFZ44ESTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 48а 110вт
IRFZ44ESTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 48а 110вт
В наличии
€1.18
IRFZ44ESTRRPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 48а 110вт
IRFZ44ESTRRPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 48а 110вт
Цена: по запросу
IRFZ44NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 49а 110вт, 0.022 ом
IRFZ44NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 49а 110вт, 0.022 ом
В наличии
€0.37
IRFZ44NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 49а 94вт
IRFZ44NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 49а 94вт
В наличии
€0.83
IRFZ44NSTRRPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 49 а
IRFZ44NSTRRPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 49 а
Цена: по запросу
IRFZ44VPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 55а 115вт, 0.0165 ом
IRFZ44VPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 55а 115вт, 0.0165 ом
В наличии
€0.50
IRFZ44ZPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51а 80вт
IRFZ44ZPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51а 80вт
В наличии
€0.89
Описание IRFZ44ZPBF The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...
IRFZ44ZSTRRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51a
IRFZ44ZSTRRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51a
В наличии
€1.30
IRFZ46NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 50а 150вт, 0.024 ом
IRFZ46NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 50а 150вт, 0.024 ом
В наличии
€0.44
IRFZ48NPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 50а 190вт, 0.018 ом
IRFZ48NPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 50а 190вт, 0.018 ом
В наличии
€0.47
IRFZ48NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 64а 130вт, 0.014 ом
IRFZ48NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 64а 130вт, 0.014 ом
В наличии
€0.97
Описание IRFZ48NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 55V; Continuous Drain Current, Id: 64A; On Resistance, Rds(on): 14mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V; Package/Case: D2-PAK Корпус TO263, Конфигурация и полярность N,...
IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт
IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт
Цена: по запросу
IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт
IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
IRG4BC20KDSTRLP, транзистор биполярный igbt 600в 16a 60вт d2pak
IRG4BC20KDSTRLP, транзистор биполярный igbt 600в 16a 60вт d2pak
В наличии
€0.55
IRG4BC20SPBF, транзистор биполярный igbt 600в 19a 60вт to220ab
IRG4BC20SPBF, транзистор биполярный igbt 600в 19a 60вт to220ab
В наличии
€0.45
IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...
IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт
IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
Цена: по запросу
IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4BC30FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
IRG4BC30FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4BC30FPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 10...
IRG4BC30KD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт
IRG4BC30KD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4BC30KDSTRLP, igbt 600v 28a 100w d2pak
IRG4BC30KDSTRLP, igbt 600v 28a 100w d2pak
Цена: по запросу
IRG4BC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт
IRG4BC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4BC30W-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
IRG4BC30W-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4BC30W-STRLP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
IRG4BC30W-STRLP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара