Дискретные полупроводники

BZX884-C4V3,315
Динамическое сопротивление90Ом Код товара362472
Цена: по запросу
 
BZX884-C4V7,315
Динамическое сопротивление80Ом Код товара187785
Цена: по запросу
 
BZX884-C56,315
Динамическое сопротивление200Ом Код товара187786
Цена: по запросу
 
BZX884-C5V6,315
Динамическое сопротивление40Ом Код товара304553
Цена: по запросу
 
BZX884-C68,315
Динамическое сопротивление240Ом Код товара347889
Цена: по запросу
 
BZX884-C6V2,315
Динамическое сопротивление10Ом Код товара187787
Цена: по запросу
 
BZX884-C6V8,315
Динамическое сопротивление15Ом Код товара187788
Цена: по запросу
 
BZX884-C8V2,315
Динамическое сопротивление10Ом Код товара187789
Цена: по запросу
 
BZY55B3V6 RYG
Код товара356963 Краткое описаниеDIODE ZENER 3.6V 500MW 0805 Стабилитрон 3.6В 500мВт 0805
Цена: по запросу
 
C106D1G
Вес брутто0.77 г Тип тиристораПовышенной чувствительности
Цена: по запросу
 
C106DG
Вес брутто0.779 г Код товара187802
Цена: по запросу
 
C106M1G
Описание C106M1G The C106M1G is a 4A RMS PNPN sensitive gate Silicon Controlled Rectifier (SCR) designed for high volume consumer applications where reliability of operation is important. • Reverse blocking thyristor • Glassivated surface for reliability and uniformity • Power rated •...
Вес брутто0.8 г Тип тиристораПовышенной чувствительности
Цена: по запросу
 
C106MG
Вес брутто0.779 г Код товара187803
Цена: по запросу
 
C2D10120A
Вес брутто3.23 г Код товара590607
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
C2M0045170D
Код товара414315 Краткое описаниеТранзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1.7кВ 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Цена: по запросу
 
C2M0045170P
Код товара411660 Нормоупаковка30 шт
Цена: по запросу
 
C2M0080120D
Вес брутто8.2 г Код товара375255
Цена: по запросу
 
C2M0160120D
Вес брутто8.5 г Код товара418106
Цена: по запросу
 
C2M1000170D
Вес брутто9.32 г Код товара349917
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров