Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BUZ30AH3045AATMA1 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)...
Описание BUZ30AHXKSA1 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13 ом...
Описание BY12 Материал кремний Максимальное постоянное обратное напряжение, В 12000 Максимальное импульсное обратное напряжение, В 12000 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный...
Цена: по запросу
Показать еще 16 товаров