Дискретные полупроводники

1N60G
Вес брутто0.27 г Код товара529287
Цена: по запросу
 
1N60L
Вес брутто0.51 г Код товара526347
14.36 
В наличии
 
1N6480-E3/96
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Емкость при Vr на частоте F8пФ при 4В, на 1МГц
Цена: по запросу
 
1N6481-E3/96
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Емкость при Vr на частоте F8пФ при 4В, на 1МГц
Цена: по запросу
 
1N6483-E3/96
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Емкость при Vr на частоте F8пФ при 4В, на 1МГц
Цена: по запросу
 
1N6484-E3/96
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Емкость при Vr на частоте F8пФ при 4В, на 1МГц
Цена: по запросу
 
1N6484-E3/97
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Емкость при Vr на частоте F8пФ при 4В, на 1МГц
Цена: по запросу
 
1N80G
Вес брутто0.43 г Код товара541502
Цена: по запросу
 
1N914
Описание 1N914 Характеристики Материал кремний Максимальное постоянное обратное напряжение, В 100
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Вес брутто0.11 г
Цена: по запросу
 
1N914
Код товара538902 Нормоупаковка1 шт
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
1N914ATR
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Вес брутто0.4 г
Цена: по запросу
 
1N914B-TP
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Вес брутто0.4 г
Цена: по запросу
 
1N914BTR
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Вес брутто0.4 г
Цена: по запросу
 
1N914BWS
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Вес брутто0.027 г
Цена: по запросу
 
1N914BWT
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Время восстановления (trr)4нс
Цена: по запросу
 
1N914TAP
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто0.4 г
Цена: по запросу
 
1N914TR
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Вес брутто0.4 г
Цена: по запросу
 
1N914TR
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Вес брутто0.4 г
Цена: по запросу
 
1N916
БыстродействиеНе нормируется, при токе =< 200мА Вес брутто0.4 г
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров