Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQT4N20LTF The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQU11P06TU The FQU11P06 is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior...
Цена: по запросу
Описание FR107 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1200 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 5 Максимальное прямое...
Показать еще 32 товара