Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
32
FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт
FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт
Цена: по запросу
FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт
FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт
Цена: по запросу
FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт
FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт
Цена: по запросу
Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...
FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт
FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт
Цена: по запросу
FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт
FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт
Цена: по запросу
FGAF40N60SMD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 79 вт
FGAF40N60SMD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 79 вт
Цена: по запросу
FGB20N60SFD_F085, транзистор биполярный igbt n-канальный 600в 40а 208вт автомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
FGB20N60SFD_F085, транзистор биполярный igbt n-канальный 600в 40а 208вт автомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
Цена: по запросу
FGH25T120SMD-F155, транзистор биполярный igbt n-канальный 1200в 50a 428вт 3-pin(3+tab) to-247 туба
Цена: по запросу
FGH75N60UFTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 150 а, 452 вт
FGH75N60UFTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 150 а, 452 вт
Цена: по запросу
FGH75T65UPD, биполярный транзистор igbt, 650 в, 150 а, 375 вт
FGH75T65UPD, биполярный транзистор igbt, 650 в, 150 а, 375 вт
Цена: по запросу
FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный
FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт
FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт
Цена: по запросу
Описание FGL60N100BNTD Корпус TO264 Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9...
FGPF4536, биполярный транзистор igbt, 230 в, 50 а, 30 вт
FGPF4536, биполярный транзистор igbt, 230 в, 50 а, 30 вт
Цена: по запросу
FJV3101RMTF, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.5 а, 0.2 вт, 250 мгц, 4.7 ком+4.7 ком
FJV3101RMTF, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.5 а, 0.2 вт, 250 мгц, 4.7 ком+4.7 ком
Цена: по запросу
FJV3105RMTF, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.5 а, 0.2 вт, 250 мгц, 4.7 ком+10 ком
FJV3105RMTF, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.5 а, 0.2 вт, 250 мгц, 4.7 ком+10 ком
Цена: по запросу
FKP202, транзистор полевой n-канальный 200в 45а 40вт
FKP202, транзистор полевой n-канальный 200в 45а 40вт
Цена: по запросу
FKP250A, транзистор полевой n-канальный 250в 50а 85вт
FKP250A, транзистор полевой n-канальный 250в 50а 85вт
Цена: по запросу
FKP300A, транзистор полевой n-канальный 300в 30а 85вт
FKP300A, транзистор полевой n-канальный 300в 30а 85вт
Цена: по запросу
FLC01-200B-TR, тиристор для цепей розжига импульсный ток (10мкс) 190а
FLC01-200B-TR, тиристор для цепей розжига импульсный ток (10мкс) 190а
Цена: по запросу
FLC01-200H, тиристор для цепей розжига импульсный ток (10мкс) 190а
FLC01-200H, тиристор для цепей розжига импульсный ток (10мкс) 190а
Цена: по запросу
FLC10-200B, тиристор для цепей розжига импульсный ток (10мкс) 240а
FLC10-200B, тиристор для цепей розжига импульсный ток (10мкс) 240а
Цена: по запросу
FM600TU-07A, модуль силовой mosfet трехфазный
FM600TU-07A, модуль силовой mosfet трехфазный
Цена: по запросу
FM600TU-2A, модуль силовой mosfet трехфазный
FM600TU-2A, модуль силовой mosfet трехфазный
Цена: по запросу
FMA5AT148, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.15 вт, 250 мгц, 2.2 ком+47 ком
FMA5AT148, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.15 вт, 250 мгц, 2.2 ком+47 ком
Цена: по запросу
FMG4AT148, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.15 вт, 250 мгц, 1 ком+
FMG4AT148, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.15 вт, 250 мгц, 1 ком+
Цена: по запросу
FMH23N50E, транзистор полевой n-канальный 500в, 23а, 315вт
FMH23N50E, транзистор полевой n-канальный 500в, 23а, 315вт
Цена: по запросу
FMM150-0075X2F, транзистор полевой mosfet n-канальный 75в 120a 5-pin(5+tab) isoplus i4-pak
Цена: по запросу
FMMTL718TA, trans pnp 20v 1a sot23-3
FMMTL718TA, trans pnp 20v 1a sot23-3
Цена: по запросу
FMV12N50E, транзистор полевой n-канальный 500в 12а 60вт
FMV12N50E, транзистор полевой n-канальный 500в 12а 60вт
В наличии
80.89 ₽
FMY-1106S, диод выпрямительный общего применения 600в 10а
FMY-1106S, диод выпрямительный общего применения 600в 10а
Цена: по запросу
FN1016, биполярный транзистор, npn 160в 8а 65мгц (комплементарная пара fp1016)
FN1016, биполярный транзистор, npn 160в 8а 65мгц (комплементарная пара fp1016)
В наличии
306.66 ₽
FP25R12W2T4BOMA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 25a, 175вт
FP25R12W2T4BOMA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 25a, 175вт
В наличии
4 226.63 ₽
Описание FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 39A 175W Chassis Mount Module Base Product Number FP25R12 -> Configuration Three Phase Inverter Current - Collector (Ic) (Max) 39A Current - Collector Cutoff (Max) 1mA ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095...
Показать еще 32 товара