Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Описание TIP41C NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP41CTU Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP42CG The TIP42CG is a bipolar PNP Power Transistor designed for general purpose power amplifier and switching applications. • Complementary device Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр....
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP47 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP50 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TMBYV10-40FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний)...
Описание TMBYV10-60FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 60 в Максимальный (средний)...
Описание TMMBAT42FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой...
В наличии
8.76 
В наличии
17.28 
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TS420-600B-TR The TS420-600B-TR is a 4A sensitive gate Silicon Controlled Rectifier (SCR) with highly sensitive triggering levels. It is suitable for all applications where the available gate current is limited. It provides an optimized performance in a limited space. • 600V...
Цена: по запросу
Описание TS820-600T Sensitive Gate Thyristors, STMicroelectronics A range of Sensitive Gate Thyristors from STMicroelectronics which are especially suitable for applications where the available gate triggering current is limited. Typical uses are in ground fault circuit interrupters and...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TT2140 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический...
Показать еще 64 товара