Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
2.52 
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT20JFILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 23 В Максимальный (средний) прямой...
Цена: по запросу
В наличии
1.89 
Описание BAT41 Характеристики Материал кремний Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.35 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 0.1 Максимальное прямое напряжение,В 1 при Iпр.,А 0.2 Общая емкость...
Цена: по запросу
В наличии
1.67 
Описание BAT42 Характеристики Материал кремний Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.5 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 0.5 Максимальное прямое напряжение,В 1 при Iпр.,А 0.2 Общая емкость...
В наличии
5.09 
Описание BAT46 Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 100 в Максимальный (средний) прямой ток на...
Цена: по запросу
Описание BAT46JFILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 100 в Максимальный (средний) прямой...
В наличии
3.08 
Описание BAT48 Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
2.28 
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54ALT1G The BAT54A is a Schottky Barrier Diode for general use and also suitable for many different applications. • 290mW Power dissipation • 430°C/W Junction-to-ambient thermal resistance • 10pF at 1V/1MHz Total capacitance Материал кремний Кол-во диодов в...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54C Корпус SOT-23-3 Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, общий катод Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC) Максимальное прямое напряжение при...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54C-TP Диоды и выпрямители Шоттки .3A 30V Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, общий катод Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC) Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54CLT1G ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54HT1G ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54S-E3-08 The BAT54S is a dual-series small signal Schottky Diode, protected by a PN junction guard ring against excessive voltage, such as electrostatic discharges. • Very Low Turn-on Voltage and Fast Switching Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 2...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров