Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

1N5820, диод шоттки 20в 3a 0.5v

В наличии

8.09 ₽

1N5821, диод шоттки 30в 3a 0.5v

В наличии

7.05 ₽

Описание 1N5821 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 30 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 3 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 80 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 2000 Максимальное прямое...

1N5821, диод шоттки 30в 3а

8.18 ₽

Описание 1N5821 Характеристики Технические ∙ Корпус DO-201AD ∙ Монтаж DIP Электрические ∙ Обратный ток утечки 500uA Общие ∙ VF 0.5V ∙ Средний прямой ток 3A ∙ Периодическое обратное напряжение 30В ∙ Импульсный прямой ток 80A ∙ Производитель Semtech Материал...

1N5822, диод шоттки 40в 3a 0.5v

В наличии

16.34 ₽

Описание 1N5822 Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, STMicroelectronics Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное...