Дискретные полупроводники

STE40NC60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 40 а

Цена: по запросу

STE48NM50, полевой транзистор, n-канальный, 550 в, 48 а

Цена: по запросу

STE70NM60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 70 а, 600 вт

Цена: по запросу

STE88N65M5, полевой транзистор, n-канальный, 650 в, 88 а

Цена: по запросу

STF10NM60N, транзистор полевой n-канальный 600в 8а 70вт

В наличии

68.10 ₽

Описание STF10NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом...

STF16N60M6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 12a 0.26ом to-220fp туба

В наличии

161.44 ₽

STF21NM60ND, mosfet n-канал 600в/17а/0.17 oм/ серия fdmesh(tm) ii power mosfet (whit fast diode)

Цена: по запросу

STF22N60DM6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 15a 240мом to-220fp

В наличии

198.04 ₽

STF24N60M6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 17а 3-pin(3+tab) to-220fp туба

В наличии

190.50 ₽

STGB10H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 115 вт

Цена: по запросу

STGB10NB37LZ, биполярный транзистор igbt, 375 в, 20 а, 125 вт

Цена: по запросу

Описание STGB10NB37LZ Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 425 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 2.4 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 18...

STGB14NC60KDT4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 80 вт

Цена: по запросу

STGB15H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 115 вт

Цена: по запросу

STGB19NC60HDT4, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

STGB20H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 167 вт

Цена: по запросу

STGB20N40LZ, биполярный транзистор igbt, 390 в, 25 а, 150 вт

Цена: по запросу

STGB20NB37LZT4, биполярный транзистор igbt, 425 в, 40 а, 200 вт

Цена: по запросу

STGB20NB41LZT4, биполярный транзистор igbt, 442 в, 40 а, 200 вт

Цена: по запросу

STGB20NC60V, igbt 600v 60a 200w d2pak

Цена: по запросу

STGB20V60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 167 вт

Цена: по запросу

STGB30H60DFB, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

STGB30H60DLLFBAG, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

STGB30V60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 258 вт

Цена: по запросу

STGB3NC120HDT4, igbt 1200v 14a 75w d2pak

Цена: по запросу

STGB7NC60HDT4, биполярный транзистор igbt, 50 кгц, 14 а, 600 в

Цена: по запросу

STGB8NC60KDT4, биполярный транзистор igbt, 50 кгц, 8 а, 600 в

Цена: по запросу

STGD10HF60KD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 18 а

Цена: по запросу

STGD10NC60KDT4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 62 вт

Цена: по запросу

STGD14NC60KT4, биполярный транзистор igbt, 50 кгц, 14 а, 600 в

Цена: по запросу

STGD18N40LZT4, биполярный транзистор igbt, 375 в, 30 а, 150 вт

Цена: по запросу

Описание STGD18N40LZT4 Характеристики Структура - Максимальное напряжение кэ ,В 390 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 25 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.3 Управляющее напряжение,В 1.6 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S -...