Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Описание BUZ30AH3045AATMA1 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)...
Описание BUZ30AHXKSA1 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13 ом...
Описание BY12 Материал кремний Максимальное постоянное обратное напряжение, В 12000 Максимальное импульсное обратное напряжение, В 12000 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BY203-20STAP Small Signal Switching Diodes, Vishay Semiconductor Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 2000 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 250 мА Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 2.4 В при 200 мА Время...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BY228 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1500 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 3 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 50 Максимальное прямое напряжение,В 1.5 при Iпр.,А 3...
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров