Дискретные полупроводники

$0.07
Цена: по запросу
Описание ST13005A Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4 Статический...
Описание ST13007 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание ST13007DFP Структура npn с диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент...
Цена: по запросу
Описание ST13009 The ST13009 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds. • Low spread of dynamic...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STB140NF75T4 N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 120 А Тип корпуса D2PAK...
Описание STB28NM50N Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.158 ом при 10.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...
Описание STB55NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Цена: по запросу
Описание STD10NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STD2NK90ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 900 В; Iс(25°C): 2.1 А; Rси(вкл): 5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Описание STD5NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета...
Описание STD60NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара