Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
 
BUK9Y4R8-60E,115
Входная емкость7853пФ @ 25В Заряд затвора50нКл @ 5В
Цена: по запросу
 
BUK9Y53-100B,115
Входная емкость2130пФ @ 25В Заряд затвора18нКл @ 5В
Цена: по запросу
 
BUK9Y59-60E,115
Входная емкость715пФ @ 25В Заряд затвора6.1нКл @ 5В
Цена: по запросу
 
BUK9Y6R0-60E,115
Входная емкость6319пФ Заряд затвора39.4нКл
Цена: по запросу
 
BUK9Y72-80E,115
Входная емкость898пФ @ 25В Заряд затвора7.9нКл @ 5В
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
BUK9Y8R7-60E,115
Входная емкость4570пФ @ 25В Заряд затвора31нКл @ 5В
Цена: по запросу
 
BUL1102E
Вес брутто3.5 г Код товара185630
Цена: по запросу
 
BUL1102EFP
Вес брутто3.5 г Код товара185631
Цена: по запросу
 
BUL128D-B
Код товара429287 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
BUL138
Код товара185634 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
BUL216
Вес брутто2.88 г Код товара103790
Цена: по запросу
 
BUL310FP
Вес брутто3.5 г Код товара87573
76.83 
В наличии
 
BUL38D
Описание BUL38D High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn с диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 800 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450 Максимально допустимый ток к...
Вес брутто2.7 г Код товара84540
158.49 
 
BUL45D2G
Вес брутто2.68 г Код товара185641
Цена: по запросу
 
BUL58D
Вес брутто3.5 г Код товара76716
Цена: по запросу
 
BUL654
Вес брутто3.5 г Код товара185644
Цена: по запросу
 
BUL742C
Код товара185645 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
BUL89
Вес брутто3.5 г Код товара138190
103.06 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров