Дискретные полупроводники

1N5408-E3/54
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Вес брутто1.2 г
Цена: по запросу
 
1N5408G
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Вес брутто1.5 г
Цена: по запросу
 
1N5408_AY_10001
Код товара350038 Нормоупаковка1250 шт
Цена: по запросу
 
1N5418TR
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)100нс
Цена: по запросу
 
1N5624-TAP
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)7.5 мкс
Цена: по запросу
 
1N5624-TR
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)7.5 мкс
Цена: по запросу
 
1N5625-TAP
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)7.5 мкс
Цена: по запросу
 
1N5626-TAP
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)7.5 мкс
Цена: по запросу
 
1N5627-TAP
БыстродействиеСтандартное, => 500нс, при токе > 200мА Время восстановления (trr)7.5 мкс
Цена: по запросу
 
1N5711
Описание 1N5711 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 70 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.015 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.015 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 200 Максимальное...
Вес брутто0.22 г Код товара161079
4.63 
В наличии
 
1N5817 T/B
Код товара359589 Краткое описаниеДиод Шоттки 20В 1А
3.09 
 
1N5817
Описание 1N5817 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 20 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное прямое...
Вес брутто0.3 г Код товара145980
1.92 
В наличии
 
1N5817
Вес брутто0.29 г Код товара161083
1.89 
В наличии
 
1N5817WS
Вес брутто0.03 г Код товара525327
1.51 
В наличии
 
1N5818
Описание 1N5818 Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой ток на...
Вес брутто0.4 г Код товара161087
8.22 
В наличии
 
1N5818
Вес брутто0.31 г Код товара161088
3.07 
В наличии
 
1N5819 T/B
Вес брутто0.29 г Код товара340430
1.98 
В наличии
 
1N5819
Описание 1N5819 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 25 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное прямое...
Вес брутто0.4 г Код товара144168
2.07 
В наличии
 
1N5819
Описание 1N5819 Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на...
Вес брутто0.4 г Код товара161092
2.24 
В наличии
 
1N5819WS
Вес брутто0.03 г Код товара525328
0.98 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров