Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
1N5408-E3/54, диод выпрямительный общего применения 1000в 3а
1N5408-E3/54, диод выпрямительный общего применения 1000в 3а
Цена: по запросу
1N5408G, диод выпрямительный общего применения 1000в 3а
1N5408G, диод выпрямительный общего применения 1000в 3а
Цена: по запросу
1N5408_AY_10001, диод одиночный
Цена: по запросу
1N5418TR, диод лавинный 400в 3а
1N5418TR, диод лавинный 400в 3а
Цена: по запросу
1N5624-TAP, диод лавинный 200в 3а
1N5624-TAP, диод лавинный 200в 3а
Цена: по запросу
1N5624-TR, диод лавинный 200в 3а
1N5624-TR, диод лавинный 200в 3а
Цена: по запросу
1N5625-TAP, диод лавинный 400в 3а
1N5625-TAP, диод лавинный 400в 3а
Цена: по запросу
1N5626-TAP, диод лавинный 600в 3а
1N5626-TAP, диод лавинный 600в 3а
Цена: по запросу
1N5627-TAP, диод лавинный 800в 3а
1N5627-TAP, диод лавинный 800в 3а
Цена: по запросу
1N5711, диод шоттки 70в 0.015в
1N5711, диод шоттки 70в 0.015в
В наличии
€0.05
Описание 1N5711 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 70 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.015 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.015 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 200 Максимальное...
1N5817 T/B, диод шоттки 20в 1а
€0.03
1N5817, диод шоттки 20в 1a
1N5817, диод шоттки 20в 1a
В наличии
€0.02
Описание 1N5817 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 20 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное прямое...
1N5817, диод шоттки 20в 1а
1N5817, диод шоттки 20в 1а
В наличии
€0.02
1N5817WS, диод шоттки 20v 1а 0.45v
1N5817WS, диод шоттки 20v 1а 0.45v
В наличии
€0.02
1N5818, диод шоттки 30в 1a
1N5818, диод шоттки 30в 1a
В наличии
€0.08
Описание 1N5818 Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой ток на...
1N5818, диод шоттки 30в 1а
1N5818, диод шоттки 30в 1а
В наличии
€0.03
1N5819 T/B, диод шоттки 40в 1а
1N5819 T/B, диод шоттки 40в 1а
В наличии
€0.02
1N5819, диод шоттки 40в 1a
1N5819, диод шоттки 40в 1a
В наличии
€0.02
Описание 1N5819 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 25 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное прямое...
1N5819, диод шоттки 40в 1а
1N5819, диод шоттки 40в 1а
В наличии
€0.02
Описание 1N5819 Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на...
1N5819WS, диод шоттки 40v 1а 0.6v
1N5819WS, диод шоттки 40v 1а 0.6v
В наличии
€0.01
Показать еще 20 товаров