Дискретные полупроводники

Описание RD15HVF1-101 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
Описание RD16HHF1-501 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание RHRG30120 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1200 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 30 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 300 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 100 Максимальное...
Описание RHRG3060 Rectifier Diodes, 10A to 80A, Fairchild Semiconductor Diode Configuration Одинарный Тип выпрямителя Коммутация Максимальная рабочая температура +175 °C Количество элементов на ИС 1 Длина 15.8мм Производитель ON Semiconductor Тип корпуса...
Цена: по запросу
Описание RHRP15120 Rectifier Diodes, 10A to 80A, Fairchild Semiconductor Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 1200 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 15 А Максимальное прямое напряжение...
Показать еще 64 товара