Дискретные полупроводники

BFN18H6327XTSA1
Вес брутто0.097 г Код товара184013
Цена: по запросу
 
BFN19H6327XTSA1
Вес брутто0.097 г Код товара184014
Цена: по запросу
 
BFN25E6327
Вес брутто0.06 г Код товара426893
Цена: по запросу
 
BFN38H6327
Вес брутто0.5 г Код товара184017
Цена: по запросу
 
BFN39H6327
Вес брутто0.5 г Код товара184018
Цена: по запросу
 
BFP405H6327XTSA1
Вес брутто0.16 г Код товара68501
29.37 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
BFP620H7764
Вес брутто0.054 г Код товара184024
Цена: по запросу
 
BFP640ESDH6327
Вес брутто0.054 г Код товара342693
Цена: по запросу
 
BFP640H6327XTSA1
Вес брутто0.05 г Граничная частота42GHz
20.23 
В наличии
 
BFP780H6327XTSA1
Код товара406635 Нормоупаковка3000 шт
Цена: по запросу
 
BFP840ESDH6327
Вес брутто0.054 г Код товара184030
Цена: по запросу
 
BFP842ESDH6327
Вес брутто0.054 г Код товара184032
Цена: по запросу
 
BFR106E6327
Вес брутто0.03 г Граничная частота5GHz
22.95 
В наличии
 
BFR193E6327
Описание BFR193E6327 RF Bipolar Transistors, Infineon Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 12 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.08...
Вес брутто0.05 г Граничная частота8ГГц
12.17 
В наличии
 
BFR193WH6327
Вес брутто0.03 г Код товара184045
16.30 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров