Дискретные полупроводники

BDX43, биполярный транзистор, npn, 80 в, 1 а, 5 вт, (комплементарная пара bdx46)

КОД: BDX43

Вес брутто1 г Код товара308121

Цена: по запросу

BDX46, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 80 в, 1 а, 5 вт, (комплементарная пара bdx43)

КОД: BDX46

Вес брутто1 г Код товара308122

Цена: по запросу

BDX53BG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 8 а

КОД: BDX53BG

Код товара183856 КорпусTO-220AB

Цена: по запросу

BDX53CG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

КОД: BDX53CG

Код товара183859 КорпусTO-220AB

Цена: по запросу

BDX53CTU, биполярный транзистор, npn, 100 в, 8 а

КОД: BDX53CTU

Вес брутто3.5 г Код товара183860

Цена: по запросу

BDX54B, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 80 в, 8 а

КОД: BDX54B

Вес брутто3.5 г Код товара308107

Цена: по запросу

BDX54BG, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 80 в, 8 а

КОД: BDX54BG

Код товара183861 КорпусTO-220AB

Цена: по запросу

BDX54C, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

КОД: BDX54C

Вес брутто3.5 г Код товара183862

Цена: по запросу

BDX54CG, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

КОД: BDX54CG

Код товара183863 КорпусTO-220AB

Цена: по запросу

BDX54CTU, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

КОД: BDX54CTU

Вес брутто3.5 г Код товара183864

Цена: по запросу

BF2040E6814HTSA1, полевой транзистор n-канальный радиочастотный двухзатворный 8в 40ма 200мвт 1ггц tch=150°c

КОД: BF2040E6814HTSA1

Код товара183870 КорпусSOT143-4

Цена: по запросу

BF245C, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 30 в, 0.3 вт

КОД: BF245C

Вес брутто0.5 г Код товара83330

Цена: по запросу

BF256B, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 30 в, 0.35вт

КОД: BF256B

Вес брутто0.2 г Код товара183871

Цена: по запросу

BF420, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.25 а, 0.83 вт

КОД: BF420

Вес брутто0.5 г Код товара86317

Цена: по запросу

BF421, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 250 ма, 0.83 вт

КОД: BF421

Описание BF421 Характеристики Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический...

Вес брутто0.5 г Код товара138118

Цена: по запросу

BF423, биполярный транзистор, pnp, 250 в, 250 ма, 0.83 вт

КОД: BF423

Вес брутто0.5 г Код товара37396

Цена: по запросу

BF510,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20v, 10мa, 0,25вт

КОД: BF510,215

Описание BF510,215 N-channel JFET, NXP Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 3мм Transistor Configuration Одинарный Запирающий ток сток-исток Idss 0.7 → 3.0mA Производитель NXP Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB) Тип монтажа Поверхностный монтаж...

Вес брутто0.05 г Код товара183874

Цена: по запросу

BF511,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20 в, 0,25вт

КОД: BF511,215

Вес брутто0.03 г Код товара183875

Цена: по запросу

BF512,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20 в, 30 ма, 0,25вт

КОД: BF512,215

Вес брутто0.05 г Код товара183876

Цена: по запросу

BF513,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20v, 10мa, 0,25вт

КОД: BF513,215

Вес брутто0.05 г Код товара183877

Цена: по запросу