Дискретные полупроводники

MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.92мм Transistor Configuration Одинарный Емкость исток-затвор 28пФ Запирающий ток сток-исток Idss min. 5mA Производитель ON Semiconductor Емкость...

MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ176 P-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 2…25 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 250(max)...

MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ177 Корпус TO236 Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 1.5…20 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.8…2.5 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 300(max) Максимальная рассеиваемая...

MMBFJ177LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ201, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ201 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 40 Ток утечки (Idss), мА 0.2…1 при Vds, В (Vgs=0) 20 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.3…1.5 при Id, нА 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.35...

MMBFJ202, полевой транзистор с управляемым p-n переходом n-канальный 40в 350мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270_R1_00001, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

MMBFJ309LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ310, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.35вт

Цена: по запросу

MMBFJ310LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ310LT3G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в

Цена: по запросу

MMBFU310LT1G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBT2222A, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222A,215, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

В наличии

2.30 ₽

MMBT2222A-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sot23

Цена: по запросу

MMBT2222ALT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

Описание MMBT2222ALT1G Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 300 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...

MMBT2222ALT3G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222ATT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.15 вт

Цена: по запросу

MMBT2222AWT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222AWT3G, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sc70-3

Цена: по запросу

MMBT2222LT1G, биполярный транзистор, npn, 30 в, 0.6 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBT2369A, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMBT2369ALT1G, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

Описание MMBT2369ALT1G • Halogen-free • AEC-Q101 qualified and PPAP capable EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 Part Status Active HTS 8541.29.00.95 Type NPN Product Category Bipolar Small Signal Material Si Configuration Single Number of Elements per...

MMBT2369LT1G, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMBT2484, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.1 а

Цена: по запросу

MMBT2484LT1G, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.1 а

Цена: по запросу

MMBT2907, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 0.8 а

Цена: по запросу

MMBT4401, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

В наличии

1.01 ₽

MMBT5401, биполярный транзистор, pnp, 150 в, 0.5 а

1.05 ₽

MMBT5551, биполярный транзистор, npn, 160 в, 0.6 а

1.04 ₽

MMBT7002, транзистор mosfet одиночный

1.63 ₽

MMBTA06, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а, 0.3вт

Цена: по запросу

MMBTA06LT1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а, 0.225вт

Цена: по запросу

Описание MMBTA06LT1G The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications. • Halogen-free/BFR-free • 80VDC Collector to base voltage (VCBO) • 4VDC Emitter to base...

MMBTA06LT3G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA06Q-7-F, транзистор общего применения биполярный npn 80в 0.5a 3-pin sot-23 лента на катушке

Цена: по запросу

MMBTA06WT1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA13, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 1.2 а

Цена: по запросу

MMBTA13-7-F, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA13LT1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA14, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 1.2 а

Цена: по запросу

MMBTA14LT1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA28, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 0.8 а

Цена: по запросу

MMBTA28-7-F, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 0.35 вт

Цена: по запросу

MMBTA92,215, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.1 а

Цена: по запросу

MMBTA92-7-F, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA92LT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 0.25 вт

Цена: по запросу

Описание MMBTA92LT1G The MMBTA92LT1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in a package which is designed for low power surface-mount applications. • AEC-Q101 qualified and PPAP capable Структура pnp...