Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MMBD4148 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 1 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 0.025 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MMBD4148SE Small Signal Switching Diodes, Fairchild Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, последовательное соединение Максимальное постоянное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MMBF4393LT1G The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications. • 30VDC Drain-source voltage • 30VDC Drain-gate voltage • 30VDC Gate-source voltage • 50mA Forward gate current Максимальная рабочая...
Показать еще 64 товара