Дискретные полупроводники

MJD31C-13, trans npn 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31C1G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а, 15w

Цена: по запросу

MJD31CG, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CQ-13, транзистор биполярный npn 100в 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31CRLG, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CT4, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а, 15 вт

В наличии

€0.23

MJD31CT4-A, trans npn 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CTF, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31T4G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD32CQ-13, trans pnp 100v 3a to252-3l

Цена: по запросу

MJD32CRLG, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD32CT4, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а, 15вт

В наличии

€0.51

MJD32CT4-A, trans pnp 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD32CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а, 1.56вт

Цена: по запросу

MJD32CTF, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD340G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD340T4, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 15 вт

В наличии

€0.33

Описание MJD340T4 NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MJD340T4G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD340TF, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD350T4, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 15 вт

Цена: по запросу

MJD350T4G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 15 вт

Цена: по запросу

MJD350TF, trans pnp 300v 0.5a dpak

Цена: по запросу

MJD41CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 6 а

Цена: по запросу

MJD42CG, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а

Цена: по запросу

MJD42CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD44E3T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD44H11-1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11RLG, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11T4, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а, 20 вт

В наличии

€0.45

MJD44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11TM, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD45H11G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт

Цена: по запросу

Описание MJD45H11G The MJD45H11G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • Electrically similar to popular D44H/D45H series • Fast...

MJD45H11RLG, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD45H11T4, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт

В наличии

€0.39

MJD45H11TM, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD50TF, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а

Цена: по запросу

MJD6039T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 4 а

Цена: по запросу

MJE13001, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт

Цена: по запросу

MJE13001L-F-T92-K, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт

Цена: по запросу

MJE13003, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1.5 а, 40 вт

Цена: по запросу

Описание MJE13003 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический...

MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт

Цена: по запросу

MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт

Цена: по запросу

MJE15033, транзистор биполярный pnp 250в 8a to220ab

€0.50

MJE2955T, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 75 вт

В наличии

€0.51

Описание MJE2955T PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...

MJE3055T, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 75 вт

В наличии

€0.86

MJE340, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 20 вт

€0.98

Описание MJE340 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MJE350, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 20 вт

В наличии

€0.39

Описание MJE350 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...