Дискретные полупроводники

MFC70-16-223F3TD, тиристорно-диодный модуль 1600в 70а

В наличии

2 182.79 ₽

MFC70-22-223F3, тиристорно-диодный модуль 2200в 70а

Цена: по запросу

MG100HF065TLC1, модуль igbt силовой

2 486.18 ₽

MG100HF12LEC1, модуль igbt силовой

2 500.02 ₽

MG100HF12TFC1, модуль igbt силовой

2 987.31 ₽

MG150HF12TLC1, модуль силовой igbt

В наличии

4 398.14 ₽

MG200HF12TLC2, модуль igbt силовой

6 117.77 ₽

MG300HF12TFC2, модуль igbt силовой

7 093.65 ₽

MG300HF12TLC2, модуль igbt 1200в 300а

В наличии

6 393.15 ₽

MG300HF12TLE3, модуль igbt силовой

7 977.00 ₽

MG450HF12TFC2, модуль igbt силовой

10 755.12 ₽

MG450HF12TLC2, модуль igbt силовой

10 320.23 ₽

MG450HF12TLE3, модуль igbt силовой

9 348.04 ₽

MG75HF12TLC1, модуль igbt силовой

2 484.86 ₽

MGC50D12A1-251H3, полумостовой модуль igbt 50а 1200в

В наличии

3 781.24 ₽

MGC75D12A1-251H3, полумомтовой модуль igbt 150а 1200в

В наличии

2 864.59 ₽

MGF0918A-03, полевой транзистор, радиочастотный

461.79 ₽

MGF0920A-03, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF0921A-03, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF2415A-01, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный

2 964.03 ₽

MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный

7 675.24 ₽

MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MIDA-HB17AB-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17AB-450N-P, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SA-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SG-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SG-600N, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой

Цена: по запросу

MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w

Цена: по запросу

Описание MJ11015G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11016G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11032G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание MJ15003G NPN Power Transistors, ON Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...

MJB45H11T4G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD112-1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD112G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD112RLG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD112T4, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт

В наличии

53.28 ₽

MJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD117G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD117T4G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD122-1, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD122G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD122T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 5 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD122TF, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD127G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а, 20 вт

Цена: по запросу

Описание MJD127G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток...