Дискретные полупроводники

J112_D26Z, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J113 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 2(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.5…3 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 100(max)...

J176_D74Z, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

JANTX1N4148-1, диод общего применения 75в 200ma do35

Цена: по запросу

JMPL0648AK-13, транзистор полевой mosfet силовой 60в 23a 40мом p-канальный

17.58 ₽

JMTL2305B, транзистор mosfet одиночный

2.57 ₽

K1050E70, динистор 93-115в 1а

Цена: по запросу

K2000SRP, динистор 190-215в 1а

Цена: по запросу

KA33VTA, стабилитрон 0.2вт 33в

Цена: по запросу

KF4N20LD-RTF/HS, транзистор полевой n-канальный 200в 3,6а 31вт

В наличии

17.01 ₽

KMB26STR, schottky bridge rectifier 60 v, 2 a

Цена: по запросу

KRC104M, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.4 вт, 200 мгц, 47 ком+47 ком

В наличии

3.24 ₽

KSC2383YTA, биполярный транзистор, npn, 160 в, 1 а, 0.9 вт, (комплементарная пара ksa1013)

Цена: по запросу

Описание KSC2383YTA Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально...

KSC2682 Y, биполярный транзистор, npn, 180 в, 0.1 а, 1.28 вт, (комплементарная пара ksa1142)

Цена: по запросу

KSC3265YMTF, биполярный транзистор, npn, 25 в, 0.8 а

Цена: по запросу

Описание KSC3265YMTF Small Signal NPN Transistors, Up to 30V, Fairchild Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально...

KSC5039FTU, биполярный транзистор, npn, 400 в, 5 а, 30 вт

Цена: по запросу

KSC5042M, биполярный транзистор, npn, 1500 в

В наличии

28.34 ₽

KSC5386, биполярный транзистор, npn, 1500 в, 7 а, 50 вт

Цена: по запросу

KSC5402DTF, биполярный транзистор, npn, 525 в, 2 а

Цена: по запросу

KSC5603DTU, транзистор биполярный npn 800в 3a to-220

Цена: по запросу

KSD1616AGBU, биполярный транзистор, npn, 60 в, 1 а

Цена: по запросу

KSE350STU, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

KSE44H11TU, биполярный транзистор, npn, 80 в, 10 а

Цена: по запросу

KSH127TF, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

KSH200TF, биполярный транзистор, npn, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

KSP2222ABU, биполярный транзистор, npn, 75 в, 0.8 а, 0.5 вт

Цена: по запросу

KST10MTF, биполярный транзистор npn 25в 50ма 350мвт кус не менее 60 не менее 650мгц

Цена: по запросу

KTA1046, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 3 а, 20 вт, (комплементарная пара ktc2026)

Цена: по запросу

Описание KTA1046 Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3 Статический коэффициент передачи тока...

KTA1267, биполярный транзистор, pnp, 50 в, 0.15 а, р=0.2 вт

Цена: по запросу

KTA1268, биполярный транзистор, pnp, 120 в, 0.1 а, 625 мвт, (комплементарная пара ktc3200)

Цена: по запросу

KTA1273 Y, биполярный транзистор, pnp, 30 в, 2 а, 1 вт

В наличии

8.13 ₽

KTB817-Y-U/P, биполярный транзистор, pnp, 160 в, 12 а, 100 вт, (комплементарная пара ktd1047)

В наличии

80.89 ₽

KTC1027 Y, биполярный транзистор, npn, 120 в, 0.8 а, 1 вт, (комплементарная пара ktа1023)

Цена: по запросу

KTC1815-GR-AT/P, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

В наличии

1.62 ₽

KTC2026, биполярный транзистор, npn, 60 в, 3 а, 20 вт, (комплементарная пара кта1046)

Цена: по запросу

KTC3198GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

В наличии

2.06 ₽

KTC3198GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

Цена: по запросу

KTC3199GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.2 вт

В наличии

5.09 ₽

KTC3200GR, биполярный транзистор, npn, 120 в, 0.1 а, 625 мвт, (комплементарная пара ktа1268)

Цена: по запросу

KTC3207, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.1 а, 1 вт

В наличии

39.92 ₽

KTC3209, биполярный транзистор, npn, 50 в, 2 а, 1 вт

В наличии

15.42 ₽

KTC8050, биполярный транзистор, npn, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

KTC8050S-D-RTK/P, биполярный транзистор, npn, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

В наличии

1.54 ₽

KTC8550, биполярный транзистор, pnp, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

Описание KTC8550 Характеристики Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8 Статический...

KTC9013, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.5 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

Описание KTC9013 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический...

KTC9014, биполярный транзистор, npn, 45 в, 0.1 а, 0.45 вт

В наличии

14.93 ₽

KTC9015, биполярный транзистор, pnp, 50 в, 0.15 а, 0.625 вт

В наличии

4.02 ₽

KTD2058 Y, биполярный транзистор, npn, 60в, 3а, 25 вт

В наличии

33.80 ₽

KTD718-O + KTB688-O (пара), биполярный транзистор, npn, 120 в, 10 а, 80 вт, (комплементарная пара ktb688)

Цена: по запросу

KTD998-O, биполярный транзистор, npn, 120 в, 10 а, 80 вт, (комплементарная пара ktb778)

Цена: по запросу

Описание KTD998-O Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический...

L1N4148FT1G, диод одиночный

Цена: по запросу

L1N4148WT1G, диод одиночный

Цена: по запросу

L1N4148WT3G, диод одиночный

Цена: по запросу

L1SS400T1G, диод одиночный

Цена: по запросу

L1SS400T5G, диод одиночный

Цена: по запросу

L2N7002WT1G, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 0.115a sc-70-3

1.21 ₽

L321F, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 120в 15а 2.5кв, встроенный антипараллельный диод

Цена: по запросу

L512, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 240в 25а 2.5кв

Цена: по запросу

L512F, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 240в 25а 2.5кв, встроенный антипараллельный диод

Цена: по запросу

L542, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 240в 25а 2.5кв

Цена: по запросу

L612F, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 240в 42.5а 2.5кв, встроенный антипараллельный диод

Цена: по запросу

L614F, дискретный полупроводниковый модуль (scr/diode module) 480в 42.5а 2.5кв, встроенный антипараллельный диод

Цена: по запросу

L6210, dual schottky diode bridge

Цена: по запросу

Описание L6210 Характеристики Максимальное постоянное обратное напряжение,В 50 Максимальное импульсное обратное напряжение,В 50 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 2 Максимальный допустимый прямой импульсный ток,А - Максимальный обратный ток,мкА -...

LBAS16HT1G, диод одиночный

0.85 ₽