Дискретные полупроводники

BC847BLT1G
Описание BC847BLT1G The BC847BLT1G is a NPN silicon general purpose Bipolar Transistor, designed for use in linear and switching applications. • Inductive load protection • Steering logic • Polarity reversal protection • ESD rating - Human body model of >4000V • ESD rating - Machine...
Вес брутто0.03 г Код товара300220
Цена: по запросу
 
BC847BLT3G
Код товара183369 КорпусSOT-23-3 (TO-236)
Цена: по запросу
 
BC847BPDW1T1G
Вес брутто0.03 г Код товара183372
Цена: по запросу
 
BC847BPDW1T2G
Код товара183373 КорпусSC-88/SC70-6/SOT-363
Цена: по запросу
 
BC847BPDW1T3G
Код товара372245 Краткое описаниеTRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88
Цена: по запросу
 
BC847BPDXV6T1G
Код товара183374 КорпусSOT-563-6
Цена: по запросу
 
BC847BPN,115
Вес брутто0.04 г Код товара69616
2.35 
В наличии
 
BC847BPN,125
Вес брутто0.04 г Код товара304820
Цена: по запросу
 
BC847BPN,135
Код товара301859 Корпус6-TSSOP
Цена: по запросу
 
BC847BPN,165
Код товара363876 Корпус6-TSSOP
Цена: по запросу
 
BC847BS
Вес брутто0.03 г Код товара183375
Цена: по запросу
 
BC847BS
Вес брутто0.02 г Код товара589929
2.27 
В наличии
 
BC847BS
Вес брутто0.05 г Код товара536389
1.90 
 
BC847BS,115
Вес брутто0.02 г Код товара131088
3.32 
В наличии
 
BC847BS,135
Код товара302024 Корпус6-TSSOP
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
BC847BS-7-F
Описание BC847BS-7-F Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc Структура 2 x npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Вес брутто0.037 г Код товара183377
Цена: по запросу
 
BC847BS-TP
Вес брутто0.037 г Код товара382743
Цена: по запросу
 
BC847BSQ-7-F
Код товара438333 Нормоупаковка3000 шт
Цена: по запросу
 
BC847BV,115
Вес брутто0.03 г Код товара117143
4.78 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров