Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
64
IRLZ24NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 18а 45вт
IRLZ24NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 18а 45вт
В наличии
53.17 ₽
IRLZ34NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 27а 56вт, 0.035 ом
IRLZ34NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 27а 56вт, 0.035 ом
В наличии
58.15 ₽
IRLZ34NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 30a
IRLZ34NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 30a
В наличии
82.40 ₽
Описание IRLZ34NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
IRLZ44NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 47а 83вт, 0.022 ом
IRLZ44NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 47а 83вт, 0.022 ом
В наличии
62.54 ₽
IRLZ44NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 47a
IRLZ44NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 47a
В наличии
105.02 ₽
IRLZ44ZPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51a
IRLZ44ZPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51a
В наличии
104.83 ₽
IRLZ44ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51а 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRLZ44ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51а 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
В наличии
94.77 ₽
ISL9K3060G3, диод выпрямительный сборка 600в 30а
ISL9K3060G3, диод выпрямительный сборка 600в 30а
Цена: по запросу
Описание ISL9K3060G3 Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 30A Through Hole TO-247-3 Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, общий катод Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 600 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 30 А...
ISL9K460P3, диод выпрямительный сборка 600в 4а
ISL9K460P3, диод выпрямительный сборка 600в 4а
Цена: по запросу
ISL9R1560P2, диод общего применения 600в 15a to220ac
ISL9R1560P2, диод общего применения 600в 15a to220ac
Цена: по запросу
ISL9R1560PF2, диод общего применения 600в 15a to220ac
ISL9R1560PF2, диод общего применения 600в 15a to220ac
Цена: по запросу
ISL9R1560S3ST, диод выпрямительный общего применения 600в 15а
ISL9R1560S3ST, диод выпрямительный общего применения 600в 15а
Цена: по запросу
ISL9R18120S3ST, диод выпрямительный общего применения 1200в 18а
ISL9R18120S3ST, диод выпрямительный общего применения 1200в 18а
Цена: по запросу
ISL9R30120G2, диод выпрямительный общего применения 1200в 30а
ISL9R30120G2, диод выпрямительный общего применения 1200в 30а
Цена: по запросу
ISL9R3060G2, диод выпрямительный общего применения 600в 30а
ISL9R3060G2, диод выпрямительный общего применения 600в 30а
Цена: по запросу
ISL9R3060P2, диод выпрямительный общего применения 600в 30а
ISL9R3060P2, диод выпрямительный общего применения 600в 30а
Цена: по запросу
ISL9R460PF2, диод выпрямительный общего применения 600в 4а
ISL9R460PF2, диод выпрямительный общего применения 600в 4а
Цена: по запросу
ISL9R860PF2, диод выпрямительный общего применения 600в 8а
ISL9R860PF2, диод выпрямительный общего применения 600в 8а
Цена: по запросу
ISL9V2040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 10 а, 130 вт
ISL9V2040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 10 а, 130 вт
Цена: по запросу
ISL9V3040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
ISL9V3040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
Цена: по запросу
ISL9V3040P3, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
ISL9V3040P3, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
Цена: по запросу
ISL9V3040S3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
ISL9V3040S3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
Цена: по запросу
Описание ISL9V3040S3ST Корпус TO263 Технология/семейство ignition Наличие встроенного диода нет Максимальное напряжение КЭ ,В 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 150 Время...
ISL9V5036S3ST, биполярный транзистор igbt, 390 в, 46 а, 250 вт
ISL9V5036S3ST, биполярный транзистор igbt, 390 в, 46 а, 250 вт
Цена: по запросу
ISL9V5045S3ST, биполярный транзистор igbt, 480 в, 51 а, 300 вт
ISL9V5045S3ST, биполярный транзистор igbt, 480 в, 51 а, 300 вт
Цена: по запросу
IXA37IF1200HJ, igbt 1200v 58a 195w to247
IXA37IF1200HJ, igbt 1200v 58a 195w to247
Цена: по запросу
IXBF32N300, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IXBH42N170, igbt 1700v 80a 360w to247
IXBH42N170, igbt 1700v 80a 360w to247
Цена: по запросу
IXBH42N170A, igbt 1700v 80a 360w to247
IXBH42N170A, igbt 1700v 80a 360w to247
Цена: по запросу
IXBH9N160G, биполярный транзистор igbt 1600в 9а 100вт to247ad
IXBH9N160G, биполярный транзистор igbt 1600в 9а 100вт to247ad
Цена: по запросу
IXBT42N170, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IXBX75N170, транзистор igbt одиночный
IXBX75N170, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IXFH150N17T2, транзистор полевой mosfet n-канальный 175в 150a 880вт 0.012ом to247
IXFH150N17T2, транзистор полевой mosfet n-канальный 175в 150a 880вт 0.012ом to247
Цена: по запросу
IXFH150N30X3, транзистор mosfet одиночный
Цена: по запросу
IXFH16N80P, транзистор полевой n-канальный 800в 16a
IXFH16N80P, транзистор полевой n-канальный 800в 16a
Цена: по запросу
IXFH22N65X2, полевой транзистор n-канальный 650в 22a 3-pin(3+tab) to-247
IXFH22N65X2, полевой транзистор n-канальный 650в 22a 3-pin(3+tab) to-247
Цена: по запросу
IXFH26N50P, транзистор полевой n-канальный 500в 26а 400вт
IXFH26N50P, транзистор полевой n-канальный 500в 26а 400вт
Цена: по запросу
IXFK160N30T, транзистор полевой n-канальный 300в 160a to-264
IXFK160N30T, транзистор полевой n-канальный 300в 160a to-264
Цена: по запросу
IXFK80N60P3, транзистор полевой n-канальный 600в 80a 3-pin(3+tab) to-264aa
IXFK80N60P3, транзистор полевой n-канальный 600в 80a 3-pin(3+tab) to-264aa
Цена: по запросу
IXFN110N60P3, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 90 а, 1500 вт
IXFN110N60P3, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 90 а, 1500 вт
Цена: по запросу
IXFN360N15T2, транзистор полевой n-канальный 150в 310a 4-pin sot-227b
IXFN360N15T2, транзистор полевой n-канальный 150в 310a 4-pin sot-227b
Цена: по запросу
IXFN60N80P, полевой транзистор, n-канальный, 800 в, 53 а, 1040 вт
IXFN60N80P, полевой транзистор, n-канальный, 800 в, 53 а, 1040 вт
Цена: по запросу
IXFR140N20P, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в 90a isoplus 247
IXFR140N20P, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в 90a isoplus 247
Цена: по запросу
IXFX240N25X3, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 240a 3-pin(3+tab) plus 247
Цена: по запросу
IXGA20N120A3, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IXGH32N170, igbt 1700v 75a 350w to247ad
IXGH32N170, igbt 1700v 75a 350w to247ad
Цена: по запросу
IXGH32N170A, биполярный транзистор igbt, 1700 в, 32 а, 350 вт
IXGH32N170A, биполярный транзистор igbt, 1700 в, 32 а, 350 вт
Цена: по запросу
IXGH48N60C3, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 300 вт to247ad
IXGH48N60C3, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 300 вт to247ad
Цена: по запросу
IXGH60N60C2, биполярный транзистор igbt, 300 в, 56 а, 150 вт
Цена: по запросу
IXGN200N60B3, транзистор биполярный с изолированным затвором igbt 600в 300a 830вт 4pin sot-227b
IXGN200N60B3, транзистор биполярный с изолированным затвором igbt 600в 300a 830вт 4pin sot-227b
Цена: по запросу
IXGP90N33TCM-A, биполярный транзистор igbt, 330 в, 40 а, 57 вт
IXGP90N33TCM-A, биполярный транзистор igbt, 330 в, 40 а, 57 вт
Цена: по запросу
IXGR48N60C3D1, биполярный транзистор igbt, 125 вт, 600 в, 56 а 125 вт
IXGR48N60C3D1, биполярный транзистор igbt, 125 вт, 600 в, 56 а 125 вт
Цена: по запросу
IXLF19N250A, биполярный транзистор igbt, 2500 в, 32 а, 250 вт
IXLF19N250A, биполярный транзистор igbt, 2500 в, 32 а, 250 вт
Цена: по запросу
IXSH45N120, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 300 вт
IXSH45N120, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 300 вт
Цена: по запросу
IXXH110N65C4, igbt 650v 234a 880w to247ad
IXXH110N65C4, igbt 650v 234a 880w to247ad
Цена: по запросу
IXXH50N60C3, igbt 600v 100a 600w to247ad
IXXH50N60C3, igbt 600v 100a 600w to247ad
Цена: по запросу
IXXH50N60C3D1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 600 вт
IXXH50N60C3D1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 600 вт
Цена: по запросу
IXXH60N65C4, igbt 650v 118a 455w to247ad
IXXH60N65C4, igbt 650v 118a 455w to247ad
Цена: по запросу
IXYN82N120C3H1, igbt-транзистор 1200в 105а 500вт
IXYN82N120C3H1, igbt-транзистор 1200в 105а 500вт
Цена: по запросу
J105, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт
J105, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт
Цена: по запросу
J106, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт
J106, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт
Цена: по запросу
J109, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт
J109, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт
Цена: по запросу
J111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт
J111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт
Цена: по запросу
J112, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт
J112, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт
Цена: по запросу
Описание J112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 5(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…5 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 50(max)...
J112G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
J112G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара