Дискретные полупроводники

IRGB5B120KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 12 а, 89 вт

Цена: по запросу

IRGB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт

Цена: по запросу

IRGIB10B60KD1P, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGIB15B60KD1P, биполярный транзистор igbt, 600 в, 19 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGIB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRGP20B120U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 300 вт

Цена: по запросу

IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP30B120KD-EP Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRGP30B60KD-EP, igbt 600v 60a 304w to247ad

Цена: по запросу

IRGP4066DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт

Цена: по запросу

IRGP4066PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт

Цена: по запросу

IRGP4068DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 96 а

В наличии

£3.30

Описание IRGP4068DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 330 Крутизна характеристики, S...

IRGP4069D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4069PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4263DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 90 а, 325 вт

В наличии

£4.50

IRGP4266DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 140 а, 455 вт

Цена: по запросу

IRGP4620DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 32 а, 140 вт

Цена: по запросу

IRGP4630DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 47 а, 206 вт

Цена: по запросу

IRGP4640PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 65 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP4640PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 65 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики, S 17...

IRGP4650D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4650D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGP4650DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

В наличии

£6.41

Описание IRGP4650DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 76 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 268 Крутизна характеристики, S 25...

IRGP4660D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGP4660DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 330 вт

В наличии

£12.70

IRGP50B60PD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт

В наличии

£19.50

Описание IRGP50B60PD1PBF Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12...

IRGP50B60PDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 370 вт

Цена: по запросу

IRGP6630DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 47 а, 192 вт

Цена: по запросу

IRGP6640DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 53 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRGP6660DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 95 а, 330 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP6660DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 95 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.65 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 330 Крутизна характеристики, S...

IRGPS40B120UDP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 595 вт

Цена: по запросу

IRGPS40B120UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 595 вт

Цена: по запросу

Описание IRGPS40B120UPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.71 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 595 Крутизна характеристики,...

IRGPS60B120KDP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 105 а

Цена: по запросу

Описание IRGPS60B120KDP Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Управляющее напряжение,В 5 Мощность макс.,Вт 595 Крутизна характеристики, S...

IRGR2B60KDTRRPBF, igbt 600v 6.3a 35w dpak

Цена: по запросу

IRGR3B60KD2PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 7.8 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGR3B60KD2TRRP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 7.8 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGR4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4045DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S 5.8...

IRGR4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 11 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...

IRGR4610DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4610DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 16 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...

IRGS14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 400 в, 14 а, 125 вт

Цена: по запросу

Описание IRGS14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.2 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...

IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 400 в, 14 а, 125 вт

В наличии

£4.05

IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт

Цена: по запросу

IRGS30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу

IRGS4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRGS4045DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S 5.8...

IRGS4062DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 250 вт

Цена: по запросу

IRGS4610DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 77 вт

Цена: по запросу

IRGS4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт

Цена: по запросу

Описание IRGS4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...

IRGS6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт

Цена: по запросу

IRGS8B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 167 вт

Цена: по запросу

IRGSL4062DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание IRGSL4062DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 48 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики,...

IRL1004PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 130а 200вт

В наличии

£1.20

IRL1404PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 160а 200вт, 0.004 ом

В наличии

£1.59

Описание IRL1404PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 160 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.004 ом...

IRL1404ZPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75а 230вт

В наличии

£2.28

IRL2203NPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 100а 130вт, 0.007 ом

В наличии

£0.57

Описание IRL2203NPBF MOSFET, N, 30V, 100A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 100A Resistance, Rds On 0.007ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm...

IRL2505PBF, транзистор полевой n-канальный 55в 104а 200вт, 0.008 ом

В наличии

£1.48

IRL2505STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 104a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

В наличии

£2.64

IRL2910PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 55а 200вт, 0.026 ом

В наличии

£1.72

IRL2910STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 55a

В наличии

£1.43

IRL3103PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 56а 83вт, 0.014 ом

В наличии

£2.05

Описание IRL3103PBF MOSFET, N, 30V, 56A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 56A Resistance, Rds On 0.012ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse...

IRL3705NPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 77а 130вт, 0.01 ом

В наличии

£0.90

IRL3705NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 89a

В наличии

£1.24

Описание IRL3705NSTRLPBF MOSFET, N-CH, 55V, 89A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 89A; Drai Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 89 А,...