Дискретные полупроводники

IRG4BH20K-LPBF, igbt 1200v 11a 60w to262

Цена: по запросу

IRG4BH20K-SPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4BH20K-STRLP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4IBC10UDPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4IBC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 17 а, 45 вт

Цена: по запросу

IRG4IBC30WPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4P254S, биполярный транзистор igbt, 250 в, 98 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30FPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

В наличии

914.77 ₽

Описание IRG4PC30UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC30UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC40FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 27 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40FDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4PC40FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 49 а, 160 вт

В наличии

705.36 ₽

IRG4PC40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 42 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 42 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC40UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.72 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC50KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 52 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PC50SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 34...

IRG4PC50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50UDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4PC50WPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50WPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 41...

IRG4PC60FPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PC60UPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PF50WDPBF, биполярный транзистор igbt, 900 в, 51 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PF50WDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 900 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 51 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4PH20KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4PH30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH30KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH30KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH30KPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 6.5...

IRG4PH40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH40KPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PH40UD-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH40UD2-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH40UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.5 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH50KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50S-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 57 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.55 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH50UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 35...

IRG4PSC71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4PSC71KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4PSC71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSC71UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S...

IRG4PSC71UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSC71UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S -...

IRG4PSH71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSH71KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 78 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.44 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики,...

IRG4PSH71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 99 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4RC10SDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG4RC10UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8.5 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG7PH30K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 180 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 90 а, 385 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 320 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD1-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD1PBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 313 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 385 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH42UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...

IRG7PH46UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 108 а, 390 вт

Цена: по запросу

IRG7PH46UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 390 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH46UDPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...

IRG7PH46UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 130 а, 469 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH46UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...

IRG7PH50K10D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG7PSH54K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 120 а, 520 вт

Цена: по запросу

IRGB14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...

IRGB30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу

IRGB4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB4045DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...

IRGB4060DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 99 вт

Цена: по запросу

IRGB4064DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 101 вт

Цена: по запросу

IRGB4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт

В наличии

44.00 ₽

Описание IRGB4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 7 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...

IRGB4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...